白木 靖寛 | 東京都市大学工学部
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概要
関連著者
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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白木 靖寛
都市大総研
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澤野 憲太郎
東京都市大
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澤野 憲太郎
都市大総研
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白木 靖寛
東京都市大
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澤野 憲太郎
武蔵工大総研
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白木 靖寛
武蔵工大総研
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白木 靖寛
東京都市大学
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丸泉 琢也
東京都市大
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岡本 徹
東大理
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宇佐美 徳隆
東北大学金属材料研究所
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大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
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Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
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千葉 太一
東京都市大学総合研究所
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徐 学俊
東京都市大学総合研究所
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町田 友樹
東大生産研
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浜屋 宏平
東大生産研
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浜屋 宏平
九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
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枡富 龍一
東大理
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吉田 勝治
ICORP-JST
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樽茶 清悟
東大工
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樽茶 清悟
東大物理工
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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枡富 龍一
東大物性研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
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小田 俊理
東工大工
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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小寺 哲夫
東大理
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杉原 加織
東大生産研
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佐々木 恒平
東大理
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當山 清彦
東大理
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當山 清彦
東大理:nec
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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兵屋 宏平
東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
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Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
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Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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小幡 利顕
東大工
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吉田 勝治
東大工
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武田 健太
東大工
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福岡 佑二
東工大量子ナノエレ研セ
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大塚 朋廣
東大工
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小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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小幡 利顕
ICORP-JST:東大工
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小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
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増渕 覚
東大生産研
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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川村 稔
理研
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川村 稔
東大生産研
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西岡 貴央
東大理
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増渕 覚
東京大学生産技術研究所
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関根 啓仁
東大理
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安田 一平
東大理
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牛尾 二郎
日立製作所中央研究所
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澤野 憲太郎
東京都市大学
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飯島 郁弥
東京都市大学工学部
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申 潤錫
ICORP-JST
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ブルナー ロランド
ICORP-JST
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澤野 憲太郎
東京都市大学 総合研究所
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高橋 裕之
東大生産研
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海野 憲太郎
都市大総研
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白木 靖寛
武蔵工業大学総合研究所
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中川 清和
山梨大学クリスタル科学研究センター
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澤野 憲太郎
武蔵工業大学総合研究所シリコンナノ科学研究センター
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牛尾 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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申 潤錫
ポハン大理工
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ブルナ ロランド
レオベン大
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川村 稔
理研:jstさきがけ
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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野平 博司
東京都市大
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ミロノフ マクシム
Warwick大学
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小松 新
東京都市大学工学部
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那須 賢太郎
東京都市大学工学部
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星 裕介
東京都市大学工学部
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榑林 徹
東京都市大学工学部
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澤野 憲太郎
東京都市大学工学部
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丸泉 琢也
東京都市大学総合研究所
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浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
著作論文
- 20pHV-3 Si/SiGe2次元金属相におけるサイクロトロン共鳴(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-3 Si/SiGe量子井戸二次元電子系における井戸幅と谷分離エネルギーの関係(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pYK-11 シリコン2次元電子系におけるランダウ準位交差と擬スピン非偏極状態の可能性(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTH-6 高移動度シリコン2次元電子におけるランダウ準位交差と電気伝導の巨大異方性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXL-3 強相関シリコン2次元電子系におけるスクリーニング効果(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- イオン注入法を用いた歪み緩和SiGe薄膜の作製と応用
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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- 第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析