小幡 利顕 | 東大工
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概要
関連著者
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小幡 利顕
東大工
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樽茶 清悟
東大工
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小幡 利顕
ICORP-JST:東大工
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久保田 実
東大物性研
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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小幡 利顕
東大物性研
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吉田 勝治
ICORP-JST
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樽茶 清悟
東大物理工
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小幡 利顕
ICORP-JST
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申 潤錫
ICORP-JST
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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大塚 朋廣
東大工
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高倉 樹
東大工
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五十嵐 武
東大物性研
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五十嵐 武
東京大学物性研究所
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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谷山 智康
東工大応セラ研:jstさきがけ
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小寺 哲夫
東大理
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ピオロラドリエル ミシェル
シェルブルック大
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米田 淳
東大工
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樽茶 清悟
ICORP-JST
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久保 敏弘
Icorp
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ブルナー ロランド
ICORP-JST
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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福田 宗行
東大物性研
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武田 健太
東大工
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
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谷山 智康
東工大応セラ研
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吉田 勝治
東大工
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久保 敏弘
ICORP-JST
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都倉 康弘
ICORP-JST
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ピオロラドリエル ミシェル
ICORP-JST
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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高橋 健
東大物性研究所
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福岡 佑二
東工大量子ナノエレ研セ
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小田 俊理
東工大工
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
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Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
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Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
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澤野 憲太郎
東京都市大
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Brunner R.
ICORP-JST
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荒木 秀明
長岡高専
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勝本 信吾
東大物性研
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白木 靖寛
都市大総研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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高橋 健
東大物性研
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澤野 憲太郎
都市大総研
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田沼 厳美
東大物性研
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小幡 利顕
東京大学物性研究所
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ミキン ミコラ
B.Verkin 低温研
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簑口 友紀
東大総合文化
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簑口 友紀
東京大学大学院総合文化研究科
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山本 倫久
東大工
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都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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原田 修治
新潟大工
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李 相潤
東大物工
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樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
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樽茶 清悟
東大物工
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谷山 智康
PRESTO-JST
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久保田 実
東京大学物性研究所
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荒木 秀明
新潟大自
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高橋 健
東京大学物性研究所
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レピー ジョン
コーネル大物理
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Syvokon Vitaliy
東大物性研
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Syvokon V.
東大物性研
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大山 一成
東大物性研
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樽茶 清吾
日本電信電話公社武蔵野通研
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ミキン N.
カラコフ低温研
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ソニン E.B.
ヘブライ大ラカー研
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Sailer Juergen
東大工
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渡辺 健太
東大工
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中島 峻
東大工
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神岡 純
東工大量子ナノ研セ
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アクタ ワシーム
東大工
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樽茶 清悟
NTT電気通信研究所
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久保 敏弘
学習院大理
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樽茶 清悟
NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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鈴木 孝輔
東大工
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Pioro-Ladriere M.
ICORP-JST
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平川 一彦
東大生研
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樽茶 清悟
ERATO SORST
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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柴田 憲治
東大ナノ量子機構
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柴田 憲治
東大生研
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大岩 顕
東大工
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岩井 泰章
東大理
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樽茶 清悟
東大理
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平川 一彦
東京大学生産技術研究所
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勝本 信吾
東大物性研:東大ナノ量子機構
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矢野 達也
東大物性研
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Deacon R.
東大工
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ピオロ ラドリエル
ICORP-JST
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Shin Y.-s.
Icorp-jst
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高橋 駿
東大工
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
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勝本 信吾
東京大学物性研究所
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木本 賢治
東大物性研
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コバチク V.
東京大学物性研究所
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V. コバチック
東大物性研
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千代浦 祐紀
新潟大院自
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中村 誠
新潟大自
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千代浦 祐紀
新潟大自
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原田 修治
新潟大自
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荒木 秀明
長岡工専
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小幅 利顕
東大物性研
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Mikhin N.
東大物性研
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Pioro-ladriere M.
Icorp
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大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
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Pioro-Ladriere M.
シェルブルック大
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申 潤錫
ポハン大理工
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ブルナ ロランド
レオベン大
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久保 敏弘
NTT物性基礎研
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申 潤錫
浦項工科大学校
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谷山 智康
東工大 総理工
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Wiel W.
PRESTO
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伊藤 勇司
東大物性研
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ミキン ミコラー
東京大学物性研究所
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MIKHIN Nikolay
Inst. Low Temp, Kharkov
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KOVACIK Vladimir
UKR, Kohzu Co. Ltd
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REPPY John
Cornell Univ.
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Kirichek Oksana
東大物性研
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Sivokon V.
東大物性研
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Kovacik V.
神津精機
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Kovacik Vladimir
Ukr Kohzu Co. Ltd
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平川 一彦
東京大
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van der
JST-PRESTO
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小幡 利顕
ERATO-SORST
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ミキン N.
Inst. Low Temp. Kharkov
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ソーニン E.B.
Racah Inst. Hebrew Univ.
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シボコン V.
東大物性研
-
KOVATICK V.
現神津精機
-
Katsumoto Shingo
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation
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Mikhin Nikolay
カルコフ低温研物理・工学究所
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Van Der
Jst-presto:東大:デルフト工科大
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狩野 博史
東京大学情報数理工学研究科
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Abstreiter G.
Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen
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中村 誠
東大院新領域
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久保 田実
東大物性研
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Sonin Edouard
ヘブライ大学ラカー研究所
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研
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ロランド ブルナー
ICORP-JST
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ミシェル ピオロラドリエル
ICORP-JST
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ロランド ブルナー
Icorp-jst:レオベン大
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ミシェル ピオロラドリエル
Icorp-jst:シェルブルック大
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Bougeard Dominique
Walter Schottky Institut, Technische Universitat Munchen
-
Bougeard Dominique
Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen:institut Fur Experimentelle And Angewandte P
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澤野 憲太郎
東京都市大学
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柴田 憲治
東京大学生産技術研究所
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杉原 裕規
東大工
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樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科
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谷山 智康
東工大
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Abstreiter Gerhard
Universitat Regensburg
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Wild Andreas
Technische Universitat Munchen
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Bougeard Dominique
Technische Universitat Munchen
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白木 靖寛
東京都市大
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野入 亮人
東大工
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ
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野入 亮人
東大物工
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Kierig J.
Regensburg大
-
Wild A.
Walter Schottky inst.
-
Sailer J.
東大工
-
Bougeard D.
Regensburg大
-
Bougeard D.
Regensburg大:Walter Schottky inst.
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樽茶 清悟
東大工:理研CEMS
-
樽茶 清悟
ERATO
-
中島 峻
東大工:理研CEMS
-
Abstreiter G.
Walter Schottky inst.
著作論文
- 25pXG-9 微小磁石集積量子ドット電子双極子スピン共鳴におけるオーバーハウザー場の緩和測定セットアップ(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-8 微小磁石を用いた電子スピン共鳴におけるスピン緩和(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-13 微小磁石集積型EDSR量子ドットサンプルに見られる核スピンの動的分極効果(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-5 3スピン量子ビットの実装に向けた横型3重量子ドットの作製と評価(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aWH-9 電子フォーカシングを用いたStern-Gerlach効果の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTA-5 量子ドット中の単一電子スピン共鳴のためのオンチップマイクロコイル開発(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-10 微小磁石を配置した量子ドット2量子ビットのスワップ演算(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-6 横型3重量子ドットにおける電荷検出信号の定量評価(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26a-YA-8 多孔質ガラス中He薄膜の層流乱流転移
- 30pYD-8 空孔励起による超流動I(量子固体)(領域6)
- 23aXA-8 Pd-Hx 系の相図
- 24pWQ-11 磁場を自己補償できる微小磁石型量子ドットEDSRサンプルの開発と実践(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aWH-6 多孔質体表面超流動薄膜の高速回転下におけるねじれ振り子実験と回転速度非線形性(多孔質・低次元系, 領域 6)
- Pulse 管冷凍機+稀釈冷凍機そのI
- 高速回転稀釈冷凍機超流動実験の実際と限界
- 31aYB-5 高速回転冷凍機を用いた多孔体中超流動 He 薄膜のねじれ振子実験
- 31aYB-1 多孔質体に吸着した 2 次元流体に関する屈折率と密度の関係の評価
- 毎秒3回転下の精密捻り振り子実験
- 22pP-10 大きな孔径の多孔質中He薄膜の2次元-3次元超流動転移
- 29p-A-2 多孔質ガラス中超流動^4He薄膜の回転下での超流動転移と渦糸
- 26a-YA-7 多孔質ガラス中の^4He薄膜の量子渦状態と超流動転移
- 24pYT-5 傾斜磁場を利用した単一電子スピン共鳴(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 30aYD-2 高速回転希釈冷凍機を用いた孔径の大きい(10μ)多孔質ガラス表面のヘリウム薄膜に対するねじれ振り子実験(低次元系)(領域6)
- 30aYD-1 高速回転稀釈冷凍機を用いた孔径1μm多孔質ガラス表面ヘリウム薄膜のねじれ振り子実験(低次元系)(領域6)
- 23aWF-6 孔径の大きな多孔質ガラス中のSubmonolayer He薄膜の超流動
- 30a-T-5 超流動^4He薄膜の超流動転移に対する解析的アプローチ
- 22pTG-12 多連結コヒーレント薄膜の臨界現象
- 17aWB-3 多孔質体に吸着した^4He薄膜上に熱励起する渦対のエネルギー分布
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-2 不均一磁場を利用した2スピンキュービットとスピンエンタングル状態(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-3 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pTG-11 3 次元超流動転移と渦糸励起
- 24aTR-6 隣接量子ドット間ゼーマンエネルギー差の微小磁石設計による制御(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-1 単一InAs自己形成量子ドットにおける光介在トンネル(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-4 ガリウムヒ素系量子ドットにおける順方向オーバーハウザーシフト(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCE-8 大きなZeeman磁場差を有する二重量子ドットでの電子スピン共鳴実験(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCE-7 シングルリード量子ドット中の2電子状態を用いたスピン偏極検出(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pCE-8 十分離れた2ドット間の静電結合と浮遊ゲート(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pFB-5 量子ドット間をつなぐ浮遊ゲートの実現(20pFB 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-4 単一電子スピン高速ラビ振動の時間分解測定(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-11 トンネル結合制御可能な横型4重量子ドット(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-9 単一電子スピン量子ビットの位相ゲート(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-7 量子ドット間をつなぐ浮遊ゲートの定量的な評価と2次元結合への応用(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))