22pTG-11 3 次元超流動転移と渦糸励起
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
小幡 利顕
東大物性研
-
小幡 利顕
東大工
-
簑口 友紀
東大総合文化
-
Mikhin Nikolay
カルコフ低温研物理・工学究所
-
簑口 友紀
東京大学大学院総合文化研究科
-
久保 田実
東大物性研
-
Sonin Edouard
ヘブライ大学ラカー研究所
関連論文
- 25pXG-9 微小磁石集積量子ドット電子双極子スピン共鳴におけるオーバーハウザー場の緩和測定セットアップ(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-8 微小磁石を用いた電子スピン共鳴におけるスピン緩和(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-13 微小磁石集積型EDSR量子ドットサンプルに見られる核スピンの動的分極効果(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-5 3スピン量子ビットの実装に向けた横型3重量子ドットの作製と評価(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aWH-9 電子フォーカシングを用いたStern-Gerlach効果の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTA-5 量子ドット中の単一電子スピン共鳴のためのオンチップマイクロコイル開発(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-10 微小磁石を配置した量子ドット2量子ビットのスワップ演算(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-6 横型3重量子ドットにおける電荷検出信号の定量評価(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26a-YA-8 多孔質ガラス中He薄膜の層流乱流転移
- 30pYD-8 空孔励起による超流動I(量子固体)(領域6)
- 23aXA-8 Pd-Hx 系の相図
- 24pWQ-11 磁場を自己補償できる微小磁石型量子ドットEDSRサンプルの開発と実践(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aWH-6 多孔質体表面超流動薄膜の高速回転下におけるねじれ振り子実験と回転速度非線形性(多孔質・低次元系, 領域 6)
- Pulse 管冷凍機+稀釈冷凍機そのI
- 高速回転稀釈冷凍機超流動実験の実際と限界
- 31aYB-5 高速回転冷凍機を用いた多孔体中超流動 He 薄膜のねじれ振子実験
- 31aYB-1 多孔質体に吸着した 2 次元流体に関する屈折率と密度の関係の評価
- 毎秒3回転下の精密捻り振り子実験
- 22pP-10 大きな孔径の多孔質中He薄膜の2次元-3次元超流動転移
- 29p-A-2 多孔質ガラス中超流動^4He薄膜の回転下での超流動転移と渦糸
- 26a-YA-7 多孔質ガラス中の^4He薄膜の量子渦状態と超流動転移
- 24pYT-5 傾斜磁場を利用した単一電子スピン共鳴(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 30aYD-2 高速回転希釈冷凍機を用いた孔径の大きい(10μ)多孔質ガラス表面のヘリウム薄膜に対するねじれ振り子実験(低次元系)(領域6)
- 30aYD-1 高速回転稀釈冷凍機を用いた孔径1μm多孔質ガラス表面ヘリウム薄膜のねじれ振り子実験(低次元系)(領域6)
- 23aWF-6 孔径の大きな多孔質ガラス中のSubmonolayer He薄膜の超流動
- 30a-T-5 超流動^4He薄膜の超流動転移に対する解析的アプローチ
- 22pTG-12 多連結コヒーレント薄膜の臨界現象
- 17aWB-3 多孔質体に吸着した^4He薄膜上に熱励起する渦対のエネルギー分布
- 29p-A-5 加圧下超流動ヘリウム4の量子核生成.III
- 26pXB-1 固化圧における超流動He-4の密度応答関数と固化(26pXB 固体液体4He,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-2 不均一磁場を利用した2スピンキュービットとスピンエンタングル状態(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-3 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pTG-11 3 次元超流動転移と渦糸励起
- 21aTG-4 密度汎関数法による超流動 He4 の固化
- 24aTR-6 隣接量子ドット間ゼーマンエネルギー差の微小磁石設計による制御(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-1 単一InAs自己形成量子ドットにおける光介在トンネル(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-4 ガリウムヒ素系量子ドットにおける順方向オーバーハウザーシフト(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCE-8 大きなZeeman磁場差を有する二重量子ドットでの電子スピン共鳴実験(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCE-7 シングルリード量子ドット中の2電子状態を用いたスピン偏極検出(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pCE-8 十分離れた2ドット間の静電結合と浮遊ゲート(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pFB-5 量子ドット間をつなぐ浮遊ゲートの実現(20pFB 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-4 単一電子スピン高速ラビ振動の時間分解測定(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-11 トンネル結合制御可能な横型4重量子ドット(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-9 単一電子スピン量子ビットの位相ゲート(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-7 量子ドット間をつなぐ浮遊ゲートの定量的な評価と2次元結合への応用(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXQ-5 捻じれ振り子によるパラジウム中水素の動的振る舞い(その1)(25aXQ 超流動(restricted geometry低次元系),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))