小田 俊理 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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小田 俊理
東工大工
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Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
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ODA Shunri
Department of Physical Electronics and Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of T
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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小寺 哲夫
東大理
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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SHIMIZU Isamu
The Graduate School at Nagatsuta
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Shimizu I
Osaka Univ. Osaka Jpn
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
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Hattori Takeo
Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology
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Hattori Tetsuya
Depaetment Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo Institute Of Technology
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ZAMA Hideaki
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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DUTTA Amit
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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Dutta Amit
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
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Hattori Takashi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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吉田 勝治
ICORP-JST
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樽茶 清悟
東大工
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SUGAI Satoshi
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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Dutta A
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Sugai Satoshi
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
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Shibata N
Japan Fine Ceramics Center Nagoya Jpn
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SHIBATA Naoki
The Graduate School at Nagatsuta, Tokyo Institute of Technology
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HANNA Jun-ichi
The Graduate School at Nagatsuta, Tokyo Institute of Technology
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Shibata N
Ntt Optoelectronics Laboratories Nippon Telegraph And Telephone Corporation
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小幡 利顕
東大工
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吉田 勝治
東大工
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武田 健太
東大工
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福岡 佑二
東工大量子ナノエレ研セ
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Shibata N
Japan Fine Ceramics Center Nggoya Jpn
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樽茶 清悟
東大物理工
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HAYAFUNE Yoshinori
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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白木 靖寛
都市大総研
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澤野 憲太郎
都市大総研
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小田 俊理
東工大
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内田 建
東京工業大学
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山端 元音
東京工業大学電子物理工学専攻
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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SHIRAI Hajime
Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology
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TANABE Akihito
The Graduate School at Nagatsuta, Tokyo Institute of Technology
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大塚 朋廣
東大工
-
山端 元音
東工大量子ナノ研
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FU Ying
Microelectronics Center at Chalmers and Department of Physics, University of Goteborg and Chalmers U
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WILLANDER Magnus
Microelectronics Center at Chalmers and Department of Physics, University of Goteborg and Chalmers U
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アミット ダッタ
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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SUZUKI Shigeru
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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TOBISAKA Hiroshi
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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柴田 直樹
東工大
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Sakai Kenji
Department of Plant Resources, Kyushu University
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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清水 勇
東工大
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Yamamoto S
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
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高橋 綱己
東京工業大学電子物理工学専攻
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Fu Y
Dep. Physics Univ. Gohtenburg And Chalmers Univ. Technol. Gothenbrug Swe
-
Fu Ying
Microelectronics Center At Chalmers And Department Of Physics University Of Goteborg And Chalmers Un
-
Masuda Kohzoh
Material Science Tsukuba University
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Fukuda K
Electrotechnical Lab. Ibaraki Jpn
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Hatatani Shigo
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
-
Matsumura Masakiyo
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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NAKAMURA Tetsuro
Research Institute of Aging Science
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Oda Shunri
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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OTOBE Masanori
Research Center for Quantum Effect Electronics and Department of Physical Electronics, Tokyo Institu
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ITOH Akira
Research Center for Quantum Effect Electronics and Department of Physical Electronics, Tokyo Institu
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MIYAKE Takayuki
Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology
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FUKUDA Kaichi
The Graduate School at Nagatsuta, Tokyo Institute of Technology
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OHTOSHI Hirokazu
The Graduate School at Nagatsuta, Tokyo Institute of Technology
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MIYAUCHI Akihiro
The Graduate School at Nagatsuta, Tokyo Institute of Technology
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Kimura M
Murata Mfg. Co. Ltd.
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HATTORI Takeo
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
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野中 倫明
東京都立大塚病院 外科
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小野 崇人
東北大学
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MIZUTA Hiroshi
School of Electronics and Computer Science, University of Southampton
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ODA Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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申 潤錫
ICORP-JST
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ブルナー ロランド
ICORP-JST
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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大塚 友彦
東京工業高等専門学校情報工学科
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新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
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雨宮 好仁
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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山本 直紀
東工大理
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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高村 禅
北陸先端大院・マテリアルサイエンス
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学
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浦岡 行治
奈良先端大
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羽根 一博
東北大学
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Ferrus Thierry
日立ケンブリッジ研
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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Williams David
日立ケンブリッジ研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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一木 隆範
東大院・工・バイオエンジニアリング
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平本 俊郎
東大
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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MIZUTA Hiroshi
Department of Physical Electronics and Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of T
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鄭 仰東
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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土屋 良重
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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佐藤 大典
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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水田 博
東京工業大学大学院理工学研究科
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LEE Shao
Research Center for Quantum Effect Electronics and Department of Physical Electronics, Tokyo Institu
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HATATANI Shigo
Research Center for Quantum Effect Electronics and Department of Physical Electronics, Tokyo Institu
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WANG Zaiyang
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
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平本 俊朗
東京大学生産技術研究所第3部
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中里 和郎
日立ケンブリッジ研究所
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乙部 雅則
東京工業大学工学部
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宮本 匡哉
東工大理
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伊福 徹
東工大工
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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柴田 直樹
東工大 理
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森 伸也
阪大院工
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森 伸也
阪大工
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辰巳 哲也
ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門
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辰巳 哲也
技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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小田中 紳二
阪大
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宮崎 誠一
広大院先端研
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OHTSUKA Tomohiko
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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内田 建
東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻
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金田 千穂子
富士通研究所
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清水 勇
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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石田 誠
豊橋技科大
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井谷 俊郎
Selete
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上野 和良
芝浦工大
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坂本 邦博
産総研
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芝原 健太郎
広大
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須田 良幸
農工大
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高橋 庸夫
北大
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久本 大
日立
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廣瀬 和之
宇宙研
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水野 文二
UJTラボ
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須田 良幸
農工大・工
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一木 隆範
東洋大学・工
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新宮原 正三
関西大
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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辰巳 哲也
ソニー
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高村 禅
北陸先端大
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森 伸也
阪大
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松村 正清
東京工業大学工学部:(現)(株)液晶先端技術開発センター
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小野 崇人
東北大学大学院工学研究科
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荒川 泰彦
東大生研
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NAGATA Kouji
Department of Mechanical Science and Engineering, Nagoya University
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柴田 直樹
東京工業大学総合理工学研究科
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Ohtsuka Tomohiko
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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大塚 友彦
東京工業高専
-
大塚 友彦
東京工業大学工学部
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高橋 庸夫
東北大・工
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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小木 純
東京工業大学電子物理工学専攻
-
水田 博
日立製作所中央研究所
-
Nagata Kouji
Department Of Electrical And Electronic Engineering Musashi Institute Of Technology
-
Lee Shao
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
-
Wang Zaiyang
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Sugai Satoshi
Research Center For Quantum Effect Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Hane Kazuhiro
Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University
-
Hane Kazuhiro
Faculty Of Engineering Tohoku University
-
井谷 俊郎
Nec
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
宮崎 誠一
広大
-
Sugiyama Kazuhisa
Department Of Ophthalmology And Visual Sciences Kanazawa University Graduate School Of Medical Scien
-
松井 真二
兵庫県立大
-
高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
-
SALEM Mohamed
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology
-
HATATANI Shigeo
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
KIMURA Masao
Research Center for Quantum Effect Electronics and Department of Physical Electronics, Tokyo Institu
-
HONDA Yoshiaki
Research Center for Quantum Effect Electronics and Department of Physical Electronics, Tokyo Institu
-
OTOBE Masanori
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
KIMURA Masao
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
SAGA Jun
Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology
-
NAKAMURAI Tetsuro
Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology
-
SHIRAI Hajime
The Graduate School at Nagatsuta, Tokyo Institute of Technology
-
TOKUNAGA Hiroyuki
The Graduate School at Nagatsuta, and Imaging Socience and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of
-
KITAJIMA Nobuyuki
The Graduate School at Nagatsuta, and Imaging Socience and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of
-
KOKADO Hiroshi
The Graduate School at Nagatsuta, and Imaging Socience and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of
-
中里 和郎
日立ヨーロッパ ケンブリッジ研究所
-
Salem Mohamed
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
-
申 潤錫
ポハン大理工
-
ブルナ ロランド
レオベン大
-
IFUKU Toru
Research Center for Quantum Effect Electronics and Department of Physical Electronics, Tokyo Institu
-
Ifuku Toru
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
-
宮本 匡哉
東工大総理工
著作論文
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 21世紀の単電子デバイス
- 電子材料-ナノシリコンとネオシリコン
- ULSI技術は電気化学の時代
- Single Electron Memory Devices Based on Plasma-Derived Silicon Nanocrystals
- Electron Transport in Nanocrystalline Si Based Single Electron Transistors
- Single-Electron Tunneling Devices Based on Silicon Quantum Dots Fabricated by Plasma Process
- ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス
- Electric Field-Effect Enhancement by a Combination of Coplanar High-Tc Superconducting Devices with Step-Edge Junctions
- Atomic Layer-by-Layer Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of SrTiO_3 Films with a Very Smooth Surface
- Electric Properties of Coplanar High-T_c Superconducting Field-Effect Devices
- 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
- MOCVD法による酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長(酸化物のエピタキシー)
- 酸化物超伝導体の原子層MOCVD法における光学的その場成長モニタ- (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- 27pC2 水素プラズマ処理による微結晶シリコンの核形成と成長(気相成長III)
- CVDによる酸化物超伝導体のlayer by layer成長とin situ光学モニタ-
- マイクロエレクトロニクス学生実験 (基礎研究特集号) -- (基礎研究と大学教育)
- Si微粒子のカソードルミネッセンス
- シリコン技術
- 1)アモルファス・シリコン系アロイの光導電性(テレビジョン電子装置研究会(第125回))
- アモルファス・シリコン系アロイの光導電性
- 強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- ディジタルプロセスによる微結晶シリコンの作製と量子効果超集積デバイスへの応用
- Atomic Force Microscope Current-Imaging Study for Current Density through Nanocrystalline Silicon Dots Embedded in SiO_2
- Single Electron Memory Devices Based on Silicon Nanocrystals Fabricated by Very High Frequency Plasma Deposition
- ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス
- In Situ Optical Monitoring of Two-Dimensional Crystal Growth in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3O_x
- In Situ Monitoring of Optical Reflectance Oscillation in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of Oxide Superconductor Films
- Diagnostic Study of VHF Plasma and Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Films
- Generation of Electron Cyclotron Resonance Plasma in the VHF Band
- Preparation Method and Optoelectrical Properties of a-Se/Cd_xSe_ Multilayer Films
- Design of Band Potential with a-Si_xGe_:H(F) Alloys
- Fabrication and Electrical Characteristics of Single Electron Tunneling Devices Based on Si Quantum Dots Prepared by Plasma Processing ( Quantum Dot Structures)
- Selective Etching of Hydrogenated Amorphous Silicon by Hydrogen Plasma ( Plasma Processing)
- Superconducting Properties of Ultrathin Films of YBa_2Cu_3O_x Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition at 500℃
- Preparation and Characterization of YBaCuO Superconducting Films by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition Using β-Diketonate Complex and N_2O
- Preparation of Highly Oriented Copper Films by Photo-Assisted Chemical Vapor Deposition Using β-Diketonate Complex
- Epitaxial Growth of YBaCuO Films on Sapphire at 500℃ by Metalorganie Chemical Vapor Deposition
- Hole Transport in Silicon Thin Films with Variable Hydrogen Content
- Preparation of Polycrystalline Silicon by Hydrogen-Radical-Enhanced Chemical Vapor Deposition
- Hole Transport in a-Si:H(F) Prepared by Hydrogen-Radical-Assisted Chemical Vapor Deposition
- Designing New Materials with Amorphous Semiconductors : Structure and Electrical Properties of Multiply Stacked a-Si/a-SiGe_x Layers
- The Role of Hydrogen Radicals in the Growth of a-Si and Related Alloys
- Highly Oriented ZnO Films Prepared by MOCVD from Diethylzinc and Alcohols
- Fabrication of Nanocrystalline Silicon with Small Spread of Particle Size by Pulsed Gas Plasma ( Quantum Dot Structures)
- Stabilization of Oxygen Diffusion in Ga-Doped YBa_2Cu_3O_ Thin Films Observed by Spectroscopic Ellipsometry
- Reproducible Growth of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Derived YBa_2Cu_3O_x Thin Films Using Ultrasonic Gas Concentration Analyzer
- In Situ Growth Monitoring During Metalorganic Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3O_x Thin Films by Spectroscopic Ellipsometry
- TFTとその応用
- アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタとその集積回路
- シリコンナノ結晶のCVD成長と新機能(ナノ結晶の成長と新機能)
- 高不純物濃度のETSOI (Extremely-thin SOI)拡散層における移動度の異常な振る舞い(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))