内田 建 | 東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
-
内田 建
東京工業大学
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
-
齋藤 真澄
東芝
-
齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センター
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小林 茂樹
東芝研究開発センター
-
小田 俊理
東工大工
-
小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
-
小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
小寺 哲夫
東大理
-
沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
東芝研究開発センター
-
木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
-
Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
-
Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
-
Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
-
太田 健介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
-
太田 健介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 建
東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻
-
古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
高橋 綱己
東京工業大学電子物理工学専攻
-
山端 元音
東京工業大学電子物理工学専攻
-
木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
土屋 義則
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
沼田 敏典
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝
-
田中 千加
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
内田 健
東京工業大学
-
小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
-
山端 元音
東工大量子ナノ研
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
-
小木 純
東京工業大学電子物理工学専攻
-
小林 茂樹
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
山端 元音
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
角谷 直哉
東京工業大学電子物理工学専攻
-
陳 君〓
東京工業大学電子物理工学専攻
-
堀部 浩介
東工大量子ナノ研セ
-
蒲原 知宏
東工大量子ナノ研セ
-
内田 建
東工大院理工
-
田中 千加
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
中林 幸雄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小林 茂樹
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
著作論文
- 強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 不純物偏析ショットキー接合を用いた高駆動電流トランジスタの開発
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証 : 軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 0.7nmの極薄膜SOIトランジスタ技術 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- 歪み技術による (100) および (110) トランジスタの性能向上戦略
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ショットキーソース/ドレインMOSFETにおけるソースサイドホットエレクトロン生成効率の向上
- トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique (SMT)による性能向上(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高不純物濃度のETSOI (Extremely-thin SOI)拡散層における移動度の異常な振る舞い(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)