太田 健介 | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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太田 健介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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太田 健介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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田中 千加
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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田中 千加
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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沼田 敏典
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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内田 建
東京工業大学
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中林 幸雄
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内田 健
東京工業大学
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沼田 敏典
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique (SMT)による性能向上(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 (シリコン材料・デバイス)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 (集積回路)
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 直径10nmのシリコンナノワイヤを備えた超低消費電力LSI用トランジスタ
- トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 招待講演 シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析 (シリコン材料・デバイス)
- 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整