内田 健 | 東京工業大学

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概要

• 同名の論文著者
• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 沼田 敏典

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 太田 健介

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 田中 千加

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 内田 健

  東京工業大学

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 太田 健介

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 内田 建

  東京工業大学

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• 沼田 敏典

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 田中 千加

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

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著作論文

• 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整
• 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整

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