小林 茂樹 | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

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概要

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• (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリーの論文著者

関連著者

• 内田 建

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 内田 建

  東京工業大学

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• 小林 茂樹

  東芝研究開発センター

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 小林 茂樹

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• 齋藤 真澄

  東芝

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• 齋藤 真澄

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• 小林 茂樹

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

著作論文

• シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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