強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• (110)pFETのバンド構造とキャリア輸送特性を,広い温度域と強磁場下における電気特性から評価した.バルクのSiにおいては軽い正孔と重い正孔のエネルギーバンドは縮退しているが,(110)pFETはこれらの縮退が解けた2つのエネルギーバンドを持つ.この2つのエネルギーバンドのエネルギー差を実験的に求め,それぞれのバンドの有効質量をShubnikov-de Haas振動の解析によって得た.2つのエネルギーバンドのうち,エネルギーの高いバンドは,エネルギーの低いバンドより移動度が小さく,これによって,低温において移動度の急激な減少とI_d-V_g特性におけるハンプ特性が現れることが明らかになった.

• 2010-01-22

著者

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 小寺 哲夫

  東大理

• 内田 建

  東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 内田 建

  東京工業大学

• 高橋 綱己

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 山端 元音

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 小木 純

  東京工業大学電子物理工学専攻

• 小寺 哲夫

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• 山端 元音

  東京工業大学 電子物理工学専攻

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST

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