内田 建 | 東芝研究開発センター (株)東芝

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関連著者

• 内田 建

  東芝研究開発センター (株)東芝

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 古賀 淳二

  東芝

• 大場 竜二

  東芝研究開発センター

• 大場 竜二

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大場 竜二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 内田 建

  東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構

• 内田 建

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 大場 竜二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 藤田 忍

  東芝研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 内田 建

  東芝研究開発センター

• 安田 心一

  東芝研究開発センター

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 高木 信一

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 鳥海 明

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 棚本 哲史

  (株)東芝研究開発センター

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センター

• 内田 建

  東京工業大学

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 小林 茂樹

  東芝研究開発センター

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  東芝

• 齋藤 真澄

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 木下 敦寛

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 土屋 義則

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 八木下 淳史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 藤田 忍

  (株)東芝研究開発センター

• 沼田 敏典

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 棚本 哲史

  東芝研究開発センター

• 野崎 華恵

  東芝研究開発センターコンピュータ・ネットワークラボラトリー

• 野崎 華恵

  (株)東芝研究開発センター

• 野崎 華恵

  東芝研究開発センター

• 安田 心一

  (株)東芝研究開発センター

• 内田 建

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 棚本 哲史

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 大場 竜二

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 安田 心一

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 藤田 忍

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 沼田 敏典

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 藤田 忍

  (株)東芝

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著作論文

• 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
• シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
• SC-9-6 トンネル効果を利用したシリコン機能デバイス
• 暗号セキュリティ向け乱数生成回路用シリコンナノデバイス
• [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
• [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
• 不純物偏析ショットキー接合を用いた高駆動電流トランジスタの開発
• 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• High-κゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 : ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証 : 軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 0.7nmの極薄膜SOIトランジスタ技術 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
• シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
• 高度情報セキュリティ向け超小型乱数生成回路 (特集 IT社会のセキュリティ技術)
• 超低消費電力LSIを実現する単一電子デバイス (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)
• ショットキーソース/ドレインMOSFETにおけるソースサイドホットエレクトロン生成効率の向上
• CMOS結合型単一電子素子の研究開発 (特集 量子化機能素子プロジェクト)

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