[招待講演]シリコン単電子素子とその応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
単電子素子は、その低消費電力性から、将来のLSIにおける要素素子として注目されている.しかしながら,現在のLSI技術は高度に成熱・先練されており,LSIにおけるMOSトランジスタのすべてを,単電子素子で置き換えることを目指すのは,現実的ではない.将来のLSIで単電子素子が利用されるためには,MOSトランジスタでは出しにくい,あるいは出せないような付加価値(機能)を,単電子素子がLSIに提供できるかどうかが鍵になってくる.本論文では,単電子素子を用いることで,LSIに1)高度なプログラム性と2)強固なセキュリティを実現するための高度な乱数生成機能を提供できる可能性があることを提案すると供に,それらの基本的な動作検証を実験的に行った結果について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-03
著者
-
藤田 忍
東芝研究開発センター
-
藤田 忍
(株)東芝研究開発センター
-
内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
棚本 哲史
(株)東芝研究開発センター
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
大場 竜二
東芝研究開発センター
-
内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
-
安田 心一
東芝研究開発センター
-
安田 心一
(株)東芝研究開発センター
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
古賀 淳二
東芝
-
大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
-
大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
藤田 忍
(株)東芝
関連論文
- 情報セキュリティ向け超小型物理乱数生成回路(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 大阪長屋の再生 ストック活用力育成プログラム(2010年日本建築学会教育賞(教育貢献))
- CNT(カーボンナノチューブ)素子大規模集積化に向けての展望と課題(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
- サブバンド構造変調を利用した高性能超薄膜SOI-MOSFET (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- SiMOS反転層モビリティにおけるクーロン散乱および表面ラフネス散乱の電子濃度依存性
- 29pYA-14 単一電子素子による二量子ビットの観測理論(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
- 22aTH-3 量子ポイントコンタクトによる二量子ビットの観測理論
- 27aYN-3 結合量子ドットによる量子ゲートと電界効果による測定過程
- 4a-J-1 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良II
- 4p-J-1 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良II
- 量子配線QICの基礎検討
- 量子配線の概念拡張に関する基礎検討
- 12a-K-6 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良
- 30p-N-7 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響II
- 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響
- 24pTH-7 非一様環境下における電荷量子ビットクラスター状態のロバスト性(量子ドット(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pRC-9 電荷量子ビットにおけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- SC-9-6 トンネル効果を利用したシリコン機能デバイス
- シリコンを使った新しい素子をめざして (特集:Siナノデバイス)
- 三端子シリコン表面接合トンネル素子
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- C-12-43 SiN MOSFETと論理ゲートから構成される物理乱数生成回路(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
- 24aXJ-3 電荷及び磁束量子ビットにおけるクラスター状態の形成方法(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 超小型乱数発生素子 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- 19pWF-2 電荷量子ビットのデコヒーレンス・フリー状態への局所的不均一性の効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pYC-9 量子細線脇におかれた量子ドットの伝導に与える効果(量子細線, 領域 4)
- 暗号セキュリティ向け乱数生成回路用シリコンナノデバイス
- [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
- [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
- 28a-F-12 量子ドットにおける共鳴トンネル磁気抵抗効果の解析
- Performance analysis of 3D-IC for multi-core processors in sub-65nm CMOS technologies (集積回路)
- 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- MOS構造素子におけるキャリア速度オーバーシュートの限界
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 8170 公営住宅におけるグループホーム等の使用に関する研究 その2 : 大阪府営住宅における運営団体の評価について(グループホーム,建築社会システム)
- 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- DPAマスク対策における乱数の影響について
- 12a-K-6 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- ポストCMOSのための新ナノアーキテクチャ (特集 ナノテクノロジー)
- 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- 二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- A-1-27 Random Greedy手法を用いた耐欠陥3Dクロスバーバス回路(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- ポストシリコン素子の3次元ナノアーキテクチャ (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- CNT(カーボンナノチューブ)素子大規模集積化に向けての展望と課題(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design : カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design : カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 不純物偏析ショットキー接合を用いた高駆動電流トランジスタの開発
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 二重Si量子ドットメモリにおける量子ドット径の微小化と不揮発性の実証
- 0.7nmの極薄膜SOIトランジスタ技術 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- High-k 及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係
- SiリッチSiN MOSFETを用いた高速乱数生成器 (特集 情報セキュリティ技術)
- 高度情報セキュリティ向け超小型乱数生成回路 (特集 IT社会のセキュリティ技術)
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析
- 超低消費電力LSIを実現する単一電子デバイス (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)
- ショットキーソース/ドレインMOSFETにおけるソースサイドホットエレクトロン生成効率の向上
- CMOS結合型単一電子素子の研究開発 (特集 量子化機能素子プロジェクト)
- 65nmCMOS以上の世代におけるマルチコアプロセッサ向け3次元回路の性能評価(3D-II,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 8009 神戸市おけるあんしんすこやかルームに関する研究 その2 : 運営団体による評価について(建築社会システム)
- 8008 神戸市おけるあんしんすこやかルームに関する研究 その1 : 運営団体による評価について(建築社会システム)
- 7013 地域SNSがまちづくりに及ぼす効果(都市計画)
- 7064 景観まちづくりにおける景観整備機構の役割に関する研究(都市計画)
- 7002 大阪型近代長屋スポットの研究 : 残存状況と保全の可能性 その2(都市計画)
- 7001 大阪型近代長屋スポットの研究 : 残存状況と保全の可能性 その1(都市計画)
- セキュリティネットワークを支える物理乱数生成技術[IV] : 先端半導体デバイスを用いた物理乱数生成回路
- 海外からの報告 建築、住宅、都市そして市民を育てる オープン・ハウス・ロンドン2011見てある記
- 先端メモリ及びロジックICへ向けたスピンMOSFET技術
- 大阪府営住宅におけるグループホーム及びケアホームの使用に関する研究
- D-18-2 FPGA応用を目指した不揮発メモリ特性の回路性能評価による設計(D-18.リコンフィギャラブルシステム,一般セッション)
- C-12-6 MRAMを用いた次世代ノーマリーオフプロセッサ(C-12.集積回路,一般セッション)
- 高速・低消費電力STT-MRAMキャッシュを用いたRun-timeノーマリオフプロセッサ
- ノーマリオフプロセッサ実現に向けた不揮発メモリの課題と展望 : 『不揮発ロジックのジレンマ』を如何に解決するか?(集積回路とアーキテクチャの協創〜ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦〜)
- 8117 建築士の地域貢献活動にみる住まい・まちづくり学習 : 全国の地域貢献活動団体を対象としたアンケート調査結果の分析(選抜梗概,住まい・まちづくり学習,オーガナイズドセッション,建築社会システム)
- 8159 神戸市におけるあんしんすこやかルームに関する研究 その2 : 運営団体による評価について(公営住宅の支援と交流,建築社会システム)
- 8158 神戸市におけるあんしんすごやかルームに関する研究 : -運営団体による評価について- その1(公営住宅の支援と交流,建築社会システム)
- ノーマリオフプロセッサ実現に向けた不揮発メモリの課題と展望 : 『不揮発ロジックのジレンマ』を如何に解決するか?
- 7029 景観まちづくりにおける景観整備機構の役割に関する研究(景観法,都市計画)
- 8156 公営住宅におけるグループホーム等の使用に関する研究 : 大阪府営住宅住民の評価について(公営住宅の支援と交流,建築社会システム)
- ノーマリーオフコンピューティング:3. 携帯情報端末におけるノーマリーオフコンピューティング -STT-MRAMで実現するノーマリーオフメモリ技術-
- 7073 景観まちづくりにおける市民団体の役割(都市計画)
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性
- 7231 大阪型近代長屋スポットの研究 : 所有者への情報提供と居住者の共用空間利用(住宅地の空間構成,都市計画,2012年度大会(東海)学術講演会・建築デザイン発表会)
- 8175 歴史博物館の情景再現展示を住教育に活用するための学習支援の試みと評価(住教育,建築社会システム,2012年度大会(東海)学術講演会・建築デザイン発表会)
- 7120 景観行政における市民参加の手法 : 岸和田市こころに残る景観資源発掘プロジェクトを事例に(市民参加,携帯電話の聞く・聞かせる技術)
- 8203 大阪型近代長屋情報提供イベントの社会実験に関する研究(まちづくりと建築社会システム,建築社会システム,2013年度日本建築学会大会(北海道)学術講演会・建築デザイン発表会)
- 不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))