ノーマリーオフコンピューティング:3. 携帯情報端末におけるノーマリーオフコンピューティング -STT-MRAMで実現するノーマリーオフメモリ技術-
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概要
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携帯情報端末の電子部品の中で,今後最も消費電力が増えるリスクのあるものがプロセッサである.電力制御技術が進展するにつれて,そのプロセッサの消費電力のうち,キャッシュメモリの待機電力が占める割合が増える.これを削減するためにSTT-MRAMをメモリに導入する方針について解説した.通常STT-MRAMを実装すると,消費電力増大の弊害のみを招いてしまう.そこで,L2キャッシュまたはラストレベルキャッシュに,ノーマリオフ型のSTT-MRAMメモリ回路を使うことを考案した.これにより,アプリケーション動作中の短時間待機時の電力をほぼ0することができ,プロセッサの消費電力を大幅に削減することが可能となることが分かった.
- 2013-06-15
著者
-
藤田 忍
東芝研究開発センター
-
藤田 忍
(株)東芝研究開発センター
-
野村 久美子
東芝 研究開発センター
-
藤田 忍
大阪市立大学生活科学部居住環境学科
-
安部 恵子
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリ
-
藤田 忍
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリ
-
藤田 忍
(株)東芝
-
野村 久美子
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリ
-
野村 久美子
(株)東芝
-
野口 紘希
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリ
-
安部 恵子
(株)東芝
-
藤田 忍
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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