サブバンド構造変調を利用した高性能超薄膜SOI-MOSFET (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
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概要
著者
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
古賀 淳二
東芝
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