一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(<IEDM特集>先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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適切な歪みとチャネル材料を合わせ持つマルチゲートMOSFET構造を提案する.実際, 局所的横方向歪み緩和技術をグローバル歪みSiGe on Insulator (SGOI)基板に適用することにより, 一軸歪みSGOI FinおよびTri-gate pMOSFETsの作製に成功した.その結果, 平面型MOSFETsに比べて優れた短チャネル効果耐性と, 比較SOI平面型MOSFETsおよびFinFETsに対する高い性能向上を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-13
著者
-
高木 信一
東京大学
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
中払 周
半導体MIRAI-ASET
-
入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
-
平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
手塚 勉
MIRAI-ASET
-
中払 周
MIRAI-ASET
-
平下 紀夫
MIRAI-ASET
-
豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
-
入沢 寿史
MIRAI-ASET
-
沼田 敏典
MIRAI-ASET
-
臼田 宏治
MIRAI-ASET
-
高木 信一
Toshiba Ceramics
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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