CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
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概要
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- 2010-03-02
著者
-
杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
杉山 正和
東大 大学院
-
杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
-
竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学
-
竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
東京大学
-
杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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