次世代高効率太陽電池の研究開発動向 : 50%超の変換効率を目指して (特集 自然エネルギー)
スポンサーリンク
概要
著者
-
杉山 正和
東大 大学院
-
杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
-
渡辺 健太郎
東京大学 先端科学技術研究センター
-
杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
-
中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
関連論文
- 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
- C-3-34 選択MOVPEによるモノリシック集積型マイケルソンSOA全光スイッチにおける時分DEMUX動作(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
- 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (光エレクトロニクス)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (電子部品・材料)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (機構デバイス)
- 広帯域1×8光集積フェーズアレイ型スイッチの作製と評価 : 低偏波依存・ナノ秒スイッチング特性の検証(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- λアクセスネットワークにおけるテラビット級LAN多重アクセス技術(光ノード,光インタフェース,波長多重ネットワーク技術,光ノード技術,WDM技術,光LAN技術,光信号処理技術,一般)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-3-19 選択成長による光合分波器と半導体光増幅器の集積化(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 高効率量子タンデム太陽電池
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
- ハイブリッド型光 Add/Drop リングネットワークにおける交換ノードの初期的検証実験
- MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- B-12-15 フェーズアレイ1×8集積光スイッチを用いた可変光バッファ(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
- サービスの実例に基づくサービスモデリング手法の検証(ソフト人工物III)
- サービス工学のためのペルソナ概念を用いたシナリオモデリング(ソフト人工物III)
- C-4-7 大容量光ルータのための広帯域フェーズアレイ型モノリシック光スイッチ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超臨界流体を利用した金属薄膜形成技術 (特集 超臨界流体--ここまできた技術開発・応用性)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ 超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)
- 超臨界流体を用いた電子デバイス用薄膜形成プロセス
- 超臨界二酸化炭素を用いた薄膜形成 (新春特集 ナノテクノロジーのための超臨界流体技術)
- Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
- 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチの研究開発(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 共有波長資源配分比可変型ハイブリッド光交換ノードの設計と実装(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- 広帯域1×8光集積フェーズアレイ型スイッチの作製と評価 : 低偏波依存・ナノ秒スイッチング特性の検証
- ハイブリッド型光Add/Dropリングネットワークにおける交換ノードの初期的検証実験(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ハイブリッド型光Add/Dropリングネットワークにおける交換ノードの初期的検証実験(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ハイブリッド型光Add/Dropリングネットワークにおける交換ノードの初期的検証実験(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- Ce:YIGを有するInGaAsP/InP非対称導波路からなる非相反偏波コンバータ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 多波長環境におけるSOAスイッチのダイナミックレンジ評価実験(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 格子欠陥制御に基づく機能材料の開発
- 電子情報通信学会大学シリーズ D-5 光・電磁物性, 電子情報通信学会(編), 多田邦雄, 松本俊(共著), コロナ社(2006-10), A5判, 定価(本体2,800円+税)
- CVD薄膜生成時の反応ガス濃度分布可視化 : 化合物半導体Inp薄膜生成シュミレーションの例
- 炭素粒子超臨界水酸化の流体力学シミュレーションと実験による検証 (シミュレーション技術の最新動向)
- 固体の超臨界水反応の可視化とモデル化--超臨界水酸化反応器の設計支援 (特集 最先端化学工学の展望)
- 複雑化した知識を構造化するフレームワーク
- B-12-11 フェーズアレイ1×16集積光スイッチと小型ファイバ遅延線を用いた可変光バッファ(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- 半導体デバイス用CVD薄膜生成のコンピュータシミュレーション--Soret(熱拡散)効果に注目したMOCVD膜生成の例
- Integrated broadband 1x8 optical phased-array switch with low polarization sensitivity and nanosecond-scale reconfiguration time (フォトニックネットワーク)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- インラインパワーモニタを集積したInP 1x8フェーズアレイ光スイッチ(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- MOVPE選択成長における1.55μm波長帯集積型4チャネルCWDM DFBレーザアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 動的エリプソメトリによるMOVPEのその場観察とInGaAs/InP界面急峻性向上への応用
- C-3-73 フェーズアレイ1×8集積光スイッチと石英系PLC遅延回路を用いた小型光バッファ(光ファイバー・光メモリ(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-14 光集積回路におけるInGaAsP/InP偏波コンバータの作製(導波路デバイス(I),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-42 ビーム曲折型1xN光スイッチの部分エッチングによるクロストーク低減(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合モードDBRレーザを用いた光クロック同期全光フリップ・フロップの数値解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 結合モードDBRレーザを用いた光クロック同期全光フリップ・フロップの数値解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 結合モードDBRレーザを用いた光クロック同期全光フリップ・フロップの数値解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- Laser Review InP光集積回路による省エネルギー光スイッチング技術 (「省エネルギー光信号処理研究の最前線 : デバイスからシステムまで」解説小特集号)
- 次世代高効率太陽電池の研究開発動向 : 50%超の変換効率を目指して (特集 自然エネルギー)
- InP光集積回路による省エネルギー光スイッチング技術
- 高効率太陽電池とその開発動向 (特集 グリーンエネルギーにおける太陽光発電・太陽電池の現状と課題)
- 次世代高効率太陽電池の研究開発動向 : 50%超の変換効率を目指して