杉山 正和 | 東京大学大学院総合研究機構
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概要
関連著者
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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霜垣 幸浩
東京大学
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霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
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杉山 正和
東京大学工学系研究科
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霜垣 幸浩
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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中野 義昭
東京大学先端研
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横山 正史
東京大学
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百瀬 健
東京大学
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
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百瀬 健
東京大学大学院工学系研究科
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アルーアミン アブドゥッラー
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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櫻井 謙司
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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アルアミン アブドゥッラー
株式会社KDDI研究所
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アルアミン アブドゥッラー
KDDI研究所
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櫻井 謙司
東京大学工学系研究科
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中野 義昭
東京大学工学系研究科
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
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高木 信一
東京大学
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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霜垣 幸浩
東京大学大学院化学システム工学専攻
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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塩田 倫也
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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Abdullah Al
東京大学工学系研究科
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櫻井 貴志
東京大学工学系研究科
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中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
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杉山 正和
東京大学
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渡辺 健太郎
東京大学 先端科学技術研究センター
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山田 英雄
BEANSプロジェクト3D BEANSセンター
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吉田 春彦
(株)東芝研究開発センター
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飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
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清水 俊匡
東京大学先端科学技術研究センター
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真名垣 暢人
(株)東芝研究開発センター
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ハッサネット ソダーバンル
東京大学工学系研究科
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富田 祐貴
東京大学大学院工学系研究科
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清水 俊匡
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科
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山田 英雄
Beans研究所
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イット フーチョン
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センタ
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宋 学良
東京大学 先端科学技術研究センター
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枝川 圭一
東大生産研
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宋 学良
東京大学先端科学技術研究センター
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李 寧
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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脇 一太郎
東京大学先端科学技術研究センター
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山本 剛久
東京大学大学院 新領域創成科学研究科物質系専攻
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枝川 圭一
東京大学生産技術研究所
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阿部 英司
東京大学工学系研究科
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江頭 靖幸
大阪大学大学院基礎工学研究科
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中野 義昭
東大先端研
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アルアミン アブドゥッラー
東京大学工学系研究科
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塩田 倫也
東京大学工学系研究科
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川原 伸章
(株)デンソー 基礎研究所
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肥後 昭男
東京大学 先端科学技術研究センター
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李 寧
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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阿部 英司
東京大学大学院工学系研究科
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幸田 清一郎
上智大理工
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竹中 充
東京大学
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北村 康宏
株式会社デンソー
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服部 有
株式会社デンソー
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上嶋 健嗣
東京大学
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浅海 一志
デンソー
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川原 伸章
デンソー
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百瀬 健
東京大学大学院工学系研究科博士課程
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中野 貴之
東京大学工学系研究科
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霜垣 幸浩
東京大学工学系研究科
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菅原 活郎
日本大学工学部情報工学科
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神保 えみ
日本大学工学部
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霜垣 幸治
東京大学大学院工学研究科
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イット フーチョン
東大工
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宋 学良
東大先端研
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宋 海政
東大工
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杉山 正和
東大工
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枝川 圭一
東大 生産技研
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江頭 靖幸
大阪大学大学院 基礎工学研究科 物質創成専攻化学工学領域
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ダルジャ ジェッシー
東京大学 先端科学技術研究センター 情報デバイス分野
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江頭 靖幸
大阪大 大学院基礎工学研究科
-
宋 海政
東大工:jst-sorst
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チャン メルヴィン
東京大学 先端科学技術研究センター 情報デバイス分野
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杉山 正和
東京大学 先端科学技術研究センター 情報デバイス分野
-
肥後 昭男
東京大学先端科学技術研究センター
著作論文
- 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
- C-3-34 選択MOVPEによるモノリシック集積型マイケルソンSOA全光スイッチにおける時分DEMUX動作(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (光エレクトロニクス)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (電子部品・材料)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (機構デバイス)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-3-19 選択成長による光合分波器と半導体光増幅器の集積化(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 高効率量子タンデム太陽電池
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
- MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超臨界流体を利用した金属薄膜形成技術 (特集 超臨界流体--ここまできた技術開発・応用性)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ 超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)
- 超臨界流体を用いた電子デバイス用薄膜形成プロセス
- 超臨界二酸化炭素を用いた薄膜形成 (新春特集 ナノテクノロジーのための超臨界流体技術)
- Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 格子欠陥制御に基づく機能材料の開発
- 電子情報通信学会大学シリーズ D-5 光・電磁物性, 電子情報通信学会(編), 多田邦雄, 松本俊(共著), コロナ社(2006-10), A5判, 定価(本体2,800円+税)
- CVD薄膜生成時の反応ガス濃度分布可視化 : 化合物半導体Inp薄膜生成シュミレーションの例
- 炭素粒子超臨界水酸化の流体力学シミュレーションと実験による検証 (シミュレーション技術の最新動向)
- 固体の超臨界水反応の可視化とモデル化--超臨界水酸化反応器の設計支援 (特集 最先端化学工学の展望)
- 半導体デバイス用CVD薄膜生成のコンピュータシミュレーション--Soret(熱拡散)効果に注目したMOCVD膜生成の例
- MOVPE選択成長における1.55μm波長帯集積型4チャネルCWDM DFBレーザアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 動的エリプソメトリによるMOVPEのその場観察とInGaAs/InP界面急峻性向上への応用
- 次世代高効率太陽電池の研究開発動向 : 50%超の変換効率を目指して (特集 自然エネルギー)
- 高効率太陽電池とその開発動向 (特集 グリーンエネルギーにおける太陽光発電・太陽電池の現状と課題)