CVD薄膜生成時の反応ガス濃度分布可視化 : 化合物半導体Inp薄膜生成シュミレーションの例
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概要
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- 2003-05-15
著者
-
杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
杉山 正和
東大 大学院
-
杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
-
江頭 靖幸
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
-
菅原 活郎
日本大学工学部情報工学科
-
神保 えみ
日本大学工学部
-
霜垣 幸治
東京大学大学院工学研究科
-
江頭 靖幸
大阪大学大学院 基礎工学研究科 物質創成専攻化学工学領域
-
江頭 靖幸
大阪大 大学院基礎工学研究科
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