杉山 正和 | 東京大学大学院 工学系研究科

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概要

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関連著者

• 杉山 正和

  東京大学大学院 工学系研究科

• 杉山 正和

  東大 大学院

• 杉山 正和

  東京大学大学院総合研究機構

• 杉山 正和

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 中野 義昭

  東京大学先端科学技術研究センター

• 霜垣 幸浩

  東京大学

• 霜垣 幸浩

  Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn

• 杉山 正和

  東京大学工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 中野 義昭

  東京大学先端研

• 百瀬 健

  東京大学

• 中野 義昭

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 百瀬 健

  東京大学大学院工学系研究科

• アルーアミン アブドゥッラー

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 櫻井 謙司

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• アルアミン アブドゥッラー

  株式会社KDDI研究所

• アルアミン アブドゥッラー

  KDDI研究所

• 櫻井 謙司

  東京大学工学系研究科

• 中野 義昭

  東京大学工学系研究科

• 竹中 充

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 竹中 充

  東京大学大学院工学系研究科

• 高木 信一

  東京大学

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  東京大学大学院化学システム工学専攻

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科

• 竹中 充

  東京大学電気系工学専攻

• 竹中 充

  東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻

• 塩田 倫也

  東京大学先端科学技術研究センター:東京大学大学院工学系研究科

• 横山 正史

  東京大学 工学系研究科電子工学専攻

• Abdullah Al

  東京大学工学系研究科

• 櫻井 貴志

  東京大学工学系研究科

• 中野 義昭

  東京大学大学院工学系研究科

• 横山 正史

  東京大学

• 横山 正史

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 横山 正史

  東京大学電気系工学専攻

• 横山 正史

  東京大学大学院工学系研究科

• 杉山 正和

  東京大学

• 渡辺 健太郎

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 山田 英雄

  BEANSプロジェクト3D BEANSセンター

• 吉田 春彦

  (株)東芝研究開発センター

• 飯塚 紀夫

  (株)東芝研究開発センター

• 清水 俊匡

  東京大学先端科学技術研究センター

• 真名垣 暢人

  (株)東芝研究開発センター

• ハッサネット ソダーバンル

  東京大学工学系研究科

• 富田 祐貴

  東京大学大学院工学系研究科

• 清水 俊匡

  東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科

• 山田 英雄

  Beans研究所

• イット フーチョン

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 中野 義昭

  東京大学 先端科学技術研究センタ

• 宋 学良

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 枝川 圭一

  東大生産研

• 宋 学良

  東京大学先端科学技術研究センター

• 李 寧

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 脇 一太郎

  東京大学先端科学技術研究センター

• 杉山 正和

  東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻

• 山本 剛久

  東京大学大学院 新領域創成科学研究科物質系専攻

• 枝川 圭一

  東京大学生産技術研究所

• 阿部 英司

  東京大学工学系研究科

• 江頭 靖幸

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 中野 義昭

  東大先端研

• アルアミン アブドゥッラー

  東京大学工学系研究科

• 塩田 倫也

  東京大学工学系研究科

• 川原 伸章

  (株)デンソー 基礎研究所

• 肥後 昭男

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 李 寧

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 阿部 英司

  東京大学大学院工学系研究科

• 幸田 清一郎

  上智大理工

• 竹中 充

  東京大学

• 北村 康宏

  株式会社デンソー

• 服部 有

  株式会社デンソー

• 上嶋 健嗣

  東京大学

• 浅海 一志

  デンソー

• 川原 伸章

  デンソー

• 百瀬 健

  東京大学大学院工学系研究科博士課程

• 中野 貴之

  東京大学工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  東京大学工学系研究科

• 菅原 活郎

  日本大学工学部情報工学科

• 神保 えみ

  日本大学工学部

• 霜垣 幸治

  東京大学大学院工学研究科

• イット フーチョン

  東大工

• 宋 学良

  東大先端研

• 宋 海政

  東大工

• 杉山 正和

  東大工

• 枝川 圭一

  東大 生産技研

• 江頭 靖幸

  大阪大学大学院 基礎工学研究科 物質創成専攻化学工学領域

• ダルジャ ジェッシー

  東京大学 先端科学技術研究センター 情報デバイス分野

• 江頭 靖幸

  大阪大 大学院基礎工学研究科

• 宋 海政

  東大工:jst-sorst

• チャン メルヴィン

  東京大学 先端科学技術研究センター 情報デバイス分野

• 杉山 正和

  東京大学 先端科学技術研究センター 情報デバイス分野

• 肥後 昭男

  東京大学先端科学技術研究センター

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著作論文

• 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
• C-3-34 選択MOVPEによるモノリシック集積型マイケルソンSOA全光スイッチにおける時分DEMUX動作(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-3-19 選択成長による光合分波器と半導体光増幅器の集積化(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 高効率量子タンデム太陽電池
• 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
• MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
• SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
• CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 超臨界流体を利用した金属薄膜形成技術 (特集 超臨界流体--ここまできた技術開発・応用性)
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ 超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)
• 超臨界流体を用いた電子デバイス用薄膜形成プロセス
• 超臨界二酸化炭素を用いた薄膜形成 (新春特集 ナノテクノロジーのための超臨界流体技術)
• Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
• SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 格子欠陥制御に基づく機能材料の開発
• 電子情報通信学会大学シリーズ D-5 光・電磁物性, 電子情報通信学会(編), 多田邦雄, 松本俊(共著), コロナ社(2006-10), A5判, 定価(本体2,800円+税)
• CVD薄膜生成時の反応ガス濃度分布可視化 : 化合物半導体Inp薄膜生成シュミレーションの例
• 炭素粒子超臨界水酸化の流体力学シミュレーションと実験による検証 (シミュレーション技術の最新動向)
• 固体の超臨界水反応の可視化とモデル化--超臨界水酸化反応器の設計支援 (特集 最先端化学工学の展望)
• 複雑化した知識を構造化するフレームワーク
• 半導体デバイス用CVD薄膜生成のコンピュータシミュレーション--Soret(熱拡散)効果に注目したMOCVD膜生成の例
• MOVPE選択成長における1.55μm波長帯集積型4チャネルCWDM DFBレーザアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 動的エリプソメトリによるMOVPEのその場観察とInGaAs/InP界面急峻性向上への応用
• 次世代高効率太陽電池の研究開発動向 : 50%超の変換効率を目指して (特集 自然エネルギー)
• 高効率太陽電池とその開発動向 (特集 グリーンエネルギーにおける太陽光発電・太陽電池の現状と課題)

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