高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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III-V-on-Insulator (III-V-OI)構造を利用した超小型InP系光素子とIII-V CMOSトランジスタをモノリシック集積可能なIII-V CMOS photonicsプラットフォーム技術を提案する。熱酸化Si基板とInGaAsP/InP基板を直接接合することでIII-V-OI基板を実現することに成功した。このSi上III-V-OI基板を用いたInGaAsP細線導波路において、曲率半径5μmにおいても低損失なベンド導波路を実現することに成功した。また同様に細線導波路を用いて、InP系アレイ導波路グレーティング(AWG)の超小型化を実現した。チャンネル間隔600GHzの4チャンネルAWGにおいて、素子サイズを147×92μm^2まで小型化することに成功した。
- 2010-08-19
著者
-
中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
-
杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
杉山 正和
東大 大学院
-
杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
-
竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
東京大学
-
杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
-
中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
-
横山 正史
東京大学
-
横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
-
横山 正史
東京大学電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
-
竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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