MOVPE選択成長によるSOA・位相変調器集積干渉計型全光スイッチの試作と評価

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概要

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• MOVPE選択成長法を利用し、SOAをモノリシック集積した、マッハツェンダー干渉計型、およびマイケルソン干渉計型の全光スイッチを作製した。選択成長を用いることにより、成長回数は1度ですみ、作製プロセスも非常に単純であるために、高い歩留まりが得られる。作製した全光スイッチの電流によるスイッチング、および光による全光スイッチングの実験を行った。全光スイッチングでは20dBの消光比が得られた。また消光比を調整するために位相変調器も同時に集積し、その動作も確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-01-16

著者

• 中野 義昭

  東京大学先端科学技術研究センター

• 宋 学良

  東京大学先端科学技術研究センター

• 中野 義昭

  東京大学先端研

• 宋 学良

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 宮下 大輔

  東京大学 大学院工学系研究科

• 宮下 大輔

  東京大学先端科学技術研究センター,JST-CREST

• 二口 尚樹

  東京大学先端科学技術研究センター,JST-CREST

• 張 臻瑞

  東京大学先端科学技術研究センター,JST-CREST

• 二口 尚樹

  東京大学先端科学技術研究センター Jst-crest

• 張 臻瑞

  東京大学先端科学技術研究センター Jst-crest

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