選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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有機金属気相成長(MOVPE:Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)の選択成長(Selective Area Growth)を用いることで,1回の結晶成長で同一基板面内に異なる組成(波長,歪み)や膜厚を持つ多波長発光素子を作成することが可能である.本論文では大きな気相拡散効果を生じる広幅(>10μm)なマスクに着目し,マスク周辺における膜厚・発光波長分布を調べた.一方で,選択成長を数理化した気相拡散モデルを用い,製膜種の気相拡散の振る舞いを定量的に解析した.その結果InGaN成長条件下においては,GaN製膜種の拡散長が10μm程度と短く,大きな面内膜厚変調を生じることを見出した.更に,マスク上でのGaNの核発生を抑制するために水素添加を提案し,良好な選択性を達成した.選択性向上により気相拡散の効果が促進され,バルクInGaNの成長増大係数の最大値4.8,発光波長54nm(組成比換算11%)シフトを得た.
- 2008-11-20
著者
-
中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
-
杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
霜垣 幸浩
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
杉山 正和
東大 大学院
-
杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
-
杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
-
塩田 倫也
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
富田 祐貴
東京大学大学院工学系研究科
-
中野 義昭
東京大学先端研
-
霜垣 幸浩
東京大学
-
霜垣 幸浩
東京大学大学院化学システム工学専攻
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
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