非相反損失変化に基づく半導体導波路型光アイソレータ(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
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概要
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ガーネット等の磁気光学効果を用いる光アイソレータは半導体レーザとの集積化が最も難しい素子の一つであるが、半導体レーザの安定動作や素子の縦続接続が必要な高機能モノリシック光集積回路の実現には不可欠な素子である。我々は、InGaAsP半導体光増幅器と強磁性金属の組み合わせという簡易な構成で、集積化に適した「非相反損失変化に基づくTEモード半導体導波路型光アイソレータ」を提案し、波長1550nmで14.7dB/mmの非相反損失変化の実証に初めて成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-17
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