江頭 靖幸 | 大阪大 大学院基礎工学研究科

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概要

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関連著者

• 江頭 靖幸

  大阪大 大学院基礎工学研究科

• 江頭 靖幸

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 江頭 靖幸

  東京大学工学部

• 小宮山 宏

  東京大学工学部化学システム工学科

• 霜垣 幸浩

  Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn

• 菅原 活郎

  日本大学工学部情報工学科

• 小宮山 宏

  東京大学工学部

• 斎藤 丈靖

  九州大学 工学部

• 小宮山 宏

  東京大学

• 小宮山 宏

  東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻

• 斉藤 丈靖

  東京大学

• 江頭 靖幸

  東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻

• 霜垣 幸浩

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 霜垣 幸浩

  東京大学工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  東京大学

• 金 煕濬

  豊橋技術科学大学 エコロジー工学系

• 小宮山 宏

  東大・工

• 蔡 容基

  東京大学大学院工学系研究科

• 江頭 靖幸

  大阪大学大学院 基礎工学研究科 物質創成専攻化学工学領域

• 小宮山 宏

  東大

• 玉置 直樹

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 永田 晋二

  東北大学金属材料研究所

• 山口 貞衛

  千葉工業大学工学部

• 永田 晋二

  東北大金研

• 高広 克己

  東北大学金属材料研究所

• 玉置 直樹

  (株)東芝研究開発センター

• 立田 真一

  (株)東芝研究開発センター

• 佐藤 裕輔

  (株)東芝研究開発センター

• 國重 雅之

  日本大学工学部 情報工学科

• 斎藤 丈靖

  東京大学

• 大久保 頼聡

  東京大学工学部化学システム工学科

• 齊藤 丈靖

  東京大学工学部化学システム工学科

• 佐藤 裕輔

  東芝研究開発センター

• 佐藤 裕輔

  (株)東芝

• 高広 克己

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 金 煕濬

  東京大学工学部 化学工学科

• 杉山 正和

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 杉山 正和

  東大 大学院

• 杉山 正和

  東京大学大学院総合研究機構

• 石川 政彦

  名大・理工総研

• 永田 晋二

  東北大学 金属材料研究所

• 高見 誠一

  東京大学

• 金 煕濬

  豊橋技術科学大学工学部環境生命工学系

• 杉山 正和

  東京大学大学院 工学系研究科

• 大沢 利男

  東京大学工学部化学システム工学科

• 霜垣 幸浩

  東京大学大学院化学システム工学専攻

• 石川 政彦

  大同大

• 石川 政彦

  Jr東海

• 石川 政彦

  東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻

• 金 煕濬

  豊橋技術科学大学

• 山口 貞衛

  東北大学 金属材料研究所

• 石川 政彦

  大同大学

• 神保 えみ

  日本大学工学部

• 霜垣 幸治

  東京大学大学院工学研究科

• 斉藤 丈靖

  九州大学工学部応用物質化学科

• 山口 貞衛

  東北大学金属材料研究所

• 会田 弘文

  東京大学工学部化学システム工学科

• 福村 昌己

  東京大学

• 萩原 和典

  東京大学工学部

• 大木 亨二

  東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻

• 劉 憶軍

  東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻

• 大沢 利男

  東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻

• 高橋 崇宏

  東京大学工学部

• 江頭 靖幸

  大阪大学

• 鈴木 聰雄

  北海道大学触媒研究所

• 田中 勝己

  北海道大学触媒研究所

• 豊嶋 勇

  北海道大学触媒研究所

• 田中 勝己

  北海道大学触媒化学研究センター

• 江頭 靖幸

  東京大学工学部 化学工学科

• 豊嶋 勇

  北海道大学触媒化学研究センター

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著作論文

• TEOS/O_3系常圧熱CVDによるSiO_2初期成膜過程のAFM・XPSによる観察と形態変化メカニズム
• CVD薄膜生成時の反応ガス濃度分布可視化 : 化合物半導体Inp薄膜生成シュミレーションの例
• DSMC法を用いたCVDステップカバレッジシミュレーションの高速化
• DSMC法による半導体薄膜成長シミュレーションの高速化
• 3次元コンピュータシミュレーションを利用したCVD装置設計 - ガスアウトレットの効果 -
• WSix-CVDプロセスの3次元装置シミュレーション
• 1. CVD レビュー序論
• WSix薄膜CVDプロセスの反応機構解析と制御
• TiCl_4/NH_3を原料としたTiN薄膜CVD合成の反応機構
• WSi_x-CVDプロセスの反応機構 : WF_6/SiH_4,WF_6/Si_2H_6反応系の比較
• WF_6/Si_2H_6によるWSi_xブランケットCVDのモデリングとシミュレーション
• H_2, SiH_4, Si_2H_6添加によるDCS-WSix-CVDプロセスの改善
• 概要設計を目的とした基板加熱型 CVD 反応器のモデル化
• 常圧熱CVDによるAlN/TiN複合系成膜反応機構の解析
• Computer Aided Reaction Designを用いたCVDにおける問題解決へのアプローチ
• 常圧熱CVDによるAlN膜合成における配向性の制御
• Micro-Trench法によるAPCVDにおける表面反応速度定数の測定
• NiZrアモルファス合金の表面状態とガス吸着

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