WF_6/Si_2H_6によるWSi_xブランケットCVDのモデリングとシミュレーション
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概要
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WF_6/Si_2H_6によるWSi_xブランケットCVDに対し,円管形反応器のデータを基に反応機構のモデリングを行った.この反応系はラジカル連鎖反応により成膜が開始されること,膜中のシリコン分率を容易に大きくできることに特徴がある.ラジカル連鎖反応でWF_6とSi_2H_6が反応しSi/W=2のシリコンに富んだ中間体ができ,これが更に気相でSi_2H_6と反応するためにシリコンが増加するとモデル化した.その反応の速度定数をフィッティングパラメータとして円管内の膜中シリコン分率の分布をシミュレーションにより再現することができ,モデルの妥当性が示された.この反応の活性化エネルギーは23.5kJ/molであった.この反応モデルを基に基板加熱形反応器での膜中シリコン濃度を予測することが可能となった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
江頭 靖幸
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
斎藤 丈靖
九州大学 工学部
-
小宮山 宏
東京大学工学部化学システム工学科
-
斉藤 丈靖
東京大学
-
霜垣 幸浩
東京大学工学系研究科
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
-
菅原 活郎
日本大学工学部情報工学科
-
江頭 靖幸
東京大学工学部
-
齊藤 丈靖
東京大学工学部化学システム工学科
-
会田 弘文
東京大学工学部化学システム工学科
-
江頭 靖幸
大阪大 大学院基礎工学研究科
-
小宮山 宏
東京大学工学部
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