常圧熱CVDによるAlN膜合成における配向性の制御
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概要
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ラミックスのCVDにおいて, 膜の配向はその機械特性を著しく劣化させる.本論文では, 常圧, 外熱型反応器におけるAlCl<SUB>3</SUB>と過剰のNH<SUB>3</SUB>からのAIN膜合成を例に.配向性を支配する因子について検討した.反応温度, AICI、濃度, 原料ガス流速, 基板位置の条件を大きく変化させることによって (反応温度700〜950℃, AlCl<SUB>3</SUB>濃度0.2〜1.3vol%、ガス流速3〜100m・s<SUP>-1</SUP>).完全配向膜から, グレインサイズ100nm程度の微粒多結晶膜まで, 多様な膜構造が観察されたが, 一定の温度では, X線回析から求めた配向度は成膜速度で-元的に整理された.低い成膜速度では配向膜が, 高成膜速度で微粒多結晶膜が生じる.700℃から950℃までの温度領域で, 配向領域と非配向領域を分ける臨界の成膜速度<I>GR<SUB>CRT</SUB></I>は, <BR><I>GR<SUB>CRT</SUB></I>=400・exp (-<I>E/RT</I>) [m・hr<SUP>-1</SUP>]<BR>(<I>E</I>=136kJ・mol<SUP>-1</SUP>) で与えられた.上式と反応速度データにより, 配向性の制御が可能になると期待される.
- 社団法人 化学工学会の論文
著者
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小宮山 宏
東京大学工学部化学システム工学科
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金 煕濬
豊橋技術科学大学 エコロジー工学系
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江頭 靖幸
東京大学工学部
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江頭 靖幸
大阪大 大学院基礎工学研究科
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金 煕濬
東京大学工学部 化学工学科
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小宮山 宏
東京大学工学部
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江頭 靖幸
東京大学工学部 化学工学科
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