TiCl_4/NH_3を原料としたTiN薄膜CVD合成の反応機構

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概要

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• TiCl_4/NH_3を原料とするTiN薄膜CVD合成の系に対して, 円管型反応器およぴステップカバレッジを利用した反応工学的な解析を行った結果, 製膜速度はTiCl4濃度に対してLangmuir-Hinshelwood型速度式に従うことが分った. また, 残留塩素濃度とステップカバレッジの対応を検討したところ, カバレッジの均一な領域では残留塩素濃度が高いことが分った. 一方, NH3分圧を増大させた場合には残留塩素濃度が低下することが分り, 均一なカバレッジを達成し, かつ, 残留塩素濃度も低くするにはTiCl4とNH3の分圧をともに高く設定するべきであることが明らかになった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-01-26

著者

• 江頭 靖幸

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 斎藤 丈靖

  九州大学 工学部

• 小宮山 宏

  東京大学工学部化学システム工学科

• 斉藤 丈靖

  東京大学

• 霜垣 幸浩

  東京大学工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn

• 菅原 活郎

  日本大学工学部情報工学科

• 江頭 靖幸

  東京大学工学部

• 大久保 頼聡

  東京大学工学部化学システム工学科

• 斉藤 丈靖

  九州大学工学部応用物質化学科

• 江頭 靖幸

  大阪大 大学院基礎工学研究科

• 小宮山 宏

  東京大学工学部

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