WSi_x-CVDプロセスの反応機構 : WF_6/SiH_4,WF_6/Si_2H_6反応系の比較
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概要
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WF_6とSiH_4およびSi_2H_6を原料ガスとするタングステンシリサイドChemical Vapor Deposition(WSi_x-CVD)プロセスに対して,外熱形の円筒形反応器を用いた反応機構の解析を行った.反応器中の反応場の膜析出面積と反応場の体積の比(S/V比と称される)を変化させたことによる製膜形態の変化から,製膜反応の初期過程がラジカル連鎖反応に支配されていることを明らかにした.また,反応器入口で気相反応を予備励起する新しいWSi_x膜合成プロセスを考案した.その結果,膜組成の制御に成功し,均一なステップカバレッジと十分な膜組成(WSi_<2.5>)を兼ね備えたWSi_x膜の合成に成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
江頭 靖幸
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
永田 晋二
東北大学金属材料研究所
-
山口 貞衛
千葉工業大学工学部
-
永田 晋二
東北大金研
-
斎藤 丈靖
九州大学 工学部
-
高広 克己
東北大学金属材料研究所
-
小宮山 宏
東京大学工学部化学システム工学科
-
斉藤 丈靖
東京大学
-
霜垣 幸浩
東京大学工学系研究科
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
-
菅原 活郎
日本大学工学部情報工学科
-
江頭 靖幸
東京大学工学部
-
齊藤 丈靖
東京大学工学部化学システム工学科
-
山口 貞衛
東北大学金属材料研究所
-
高広 克己
京都工芸繊維大学工芸学部
-
江頭 靖幸
大阪大 大学院基礎工学研究科
-
小宮山 宏
東京大学工学部
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