超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ 超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)
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概要
著者
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
-
百瀬 健
東京大学
-
杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
-
霜垣 幸浩
東京大学
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
-
百瀬 健
東京大学大学院工学系研究科
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