SiO:F膜プラズマCVD合成の反応機構

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 東京大学工学部総合試験所の論文

著者

• 霜垣 幸浩

  東京大学

関連論文

• 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
• MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
• 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
• 超臨界流体を利用した金属薄膜形成技術 (特集 超臨界流体--ここまできた技術開発・応用性)
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ 超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)
• CVD
• 超臨界流体を用いた電子デバイス用薄膜形成プロセス
• 超臨界二酸化炭素を用いた薄膜形成 (新春特集 ナノテクノロジーのための超臨界流体技術)
• Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
• 反応工学
• C-4-17 MOVPE 成長 AIN/GaN 多重量子井戸における 1.55μm のサブバンド間遷移
• CVD
• PECVDによる低誘電率層間絶縁膜用a-C:F膜の合成( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• 材料化学工学
• SiO:F膜プラズマCVD合成の反応機構
• WSix-CVDプロセスの3次元装置シミュレーション
• WSix薄膜CVDプロセスの反応機構解析と制御
• H_2, SiH_4, Si_2H_6添加によるDCS-WSix-CVDプロセスの改善
• ステルスダイシングを利用した埋め込み式予約素子分離法
• 反応工学

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク