PECVDによる低誘電率層間絶縁膜用a-C:F膜の合成(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術)
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概要
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ULSI層間絶縁膜の低誘電率化を目的として, C_2F_4を原料ガスとしたプラズマCVD法によりa-C:F膜の合成を行い, 製膜条件が膜構造および誘電率に与える影響を評価した。また, 製膜速度の滞留時間依存性の解析から, 本反応系ではプラズマ中での反応によりイオン, ラジカル類が生成する過程が律速であること, また, ステップカバレッジの解析からイオン種の付着確率は1.0程度, ラジカル類の付着確率は0.01程度であることが分かった。また, イオン種による製膜は耐熱性の高い構造を形成することも明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-11-09
著者
-
霜垣 幸浩
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
霜垣 幸浩
東京大学
-
霜垣 幸浩
東京大学大学院化学システム工学専攻
-
羽路 伸夫
横浜国立大学大学院工学研究院
-
中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
-
羽路 伸夫
横浜国立大学
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