液相堆積法によるSiO_2膜について
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概要
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液相堆積は、SiO_2を飽和させたH_2SiF_6水溶液を過飽和にさせることにより、浸漬した基板上にSiO_2薄膜を堆積させる方法であり、その最大の特徴は室温近傍(〜35℃)で大形基板に対して堆積が可能であることである。このことより、低温プロセスとしてゲート絶縁膜や層間絶縁膜への応用、有機分子を含有した機能性ガラス等に有効である。本報告では、液相堆積法により堆積したSiO_2薄膜の構造、ゲート絶縁膜として用いた場合の電気的特性、電界による増速効果等について述べる。
- 1993-08-24
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