液相堆積法による低誘電率シリコン酸化膜
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概要
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本稿では、シリカの飽和H_2SiF_6溶液を用いて、35℃でSiO_2:F膜を形成可能な堆積法を報告する。XPS測定結果によると、溶液の濃度を2.00mol/lから3.25mol/lまで変化させると、膜中のフッ素原子の含有量は3.5から4.75%まで増量する。また膜の誘電率はそれぞれ3.7から3.0にまで減少する。I-V測定結果より、9MV/cmより高い電界まで耐えられることは確かである。AFMで観測した表面形状によると、濃度の高い溶液で得られた膜の表面形状は段々凸凹の状態になるが、段差は0.5nm以下である。また、この膜は低誘電率・高電界破壊耐圧性を持っているので、層間絶縁膜、平坦化用の膜への応用を示唆する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
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