InGaAs/InAlAs 5層非対称結合量子井戸を用いたMach-Zehnder干渉計型光スイッチ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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概要
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1.55μm帯用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)の電界屈折率効果の理論解析,およびマッハ・ツェンダー(MZ)光変調器・光スイッチへの応用について理論的検討を行った。価電子帯構造の非放物線性も考慮した詳細な解析を行うとともに,実際のpin構造における内蔵電界を考慮し,実用電界領域での屈折率電界係数|dn/dF|がより大きくなるよう構造を見出した。この構造では,1.55μm付近で100nm以上の広波長域にわたり,大きな電界誘起屈折率変化が得られることがわかった.その屈折率電界係数|dn/dF|は5×10^<-4>cm/kV程度と期待される。このInGaAs/InAIAs FACQWをMZ光変調器,2×2光スイッチに適用すれば,動作電圧を約0.2V程度まで低減することが可能であると見積もられる。また,1×2光変調器(光スイッチ)において,電圧印加するアームを切り替えることで,動作電圧を0.1〜0.2V程度まで低減できると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-23
著者
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院工学研究科
-
内村 貴弘
横浜国立大学大学院工学研究院
-
中駄 良成
横浜国立大学 大学院工学研究院
-
三宅 浩明
横浜国立大学 大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院
-
Takizawa Kuniharu
Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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