多田 邦雄 | 金沢工業大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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多田 邦雄
金沢工業大学大学院工学研究科
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多田 邦雄
金沢工業大学大学院
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荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
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TAKIZAWA Kuuiharu
NHK Science and Technical Research Laboratories
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Takizawa K
Department Of Electronics Nagoya University
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Tada Kunio
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
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内村 貴弘
横浜国立大学大学院工学研究院
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盧 柱亨
横河電機株式会社
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盧柱 亨
横河電機株式会社
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横浜国立大学 大学院工学研究院
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横浜国立大学大学院工学研究院
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横浜国立大学
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牛込 基
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戸谷 貴宏
横浜国立大学大学院工学研究院
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羽路 伸夫
横浜国立大学大学院工学研究院
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羽路 伸夫
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横浜国立大学大学院工学研究院
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横浜国立大学大学院工学研究院
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横浜国立大学大学院
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遠藤 航
横浜国立大学大学院工学研究院
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中駄 良成
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國分 泰雄
横浜国立大学大学院工学研究院知的構造の創生部門
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江間 研自
横浜国立大学大学院工学研究院
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福岡 正恭
横浜国立大学
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針木 武大
横浜国立大学
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松本 浩之
横浜国立大学大学院工学研究院
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有馬 健宏
横浜国立大学大学院工学研究院
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國分 泰雄
横浜国立大学大学院工学研究院知的構造の創成部門
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國分 泰雄
横浜国立大学
著作論文
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 非対称三重結合量子井戸における電気光学効果(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-20 InGaAs/InAIAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー型光変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- エレクトロニクス実装学会設立十周年を記念して(社団法人エレクトロニクス実装学会十周年記念)
- C-3-59 GaAs/AlGaAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)光位相変調器の評価(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 「応用物理」創刊75周年を記念して
- InGaAs/InAlAs 5層非対称結合量子井戸を用いたMach-Zehnder干渉計型光スイッチ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- InGaAs/InAlAs 5層非対称結合量子井戸を用いたMach-Zehnder干渉計型光スイッチ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)