超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
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概要
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InP基板に格子整合した長波長帯InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)の構造設計およびその電気光学効果の理論解析を行った.実際のデバイス構造における内蔵電界を考慮し,実用電界領域で屈折率変化が最大となるようFACQWを設計し特性解析を行った結果,1.55μm付近で100nm以上の広波長域にわたり,大きな電界屈折率効果が得られることがわかった.その屈折率変化率|Δn/ΔF|は3×10^<-4>cm/kV程度と期待される.また,井戸層に0.85%の伸張歪を導入することで,偏光無依存化が可能であることも示した.このInGaAs/InAlAs FACQWの巨大な電界誘起屈折率変化を応用すれば,広動作波長域,低スイッチング電圧の超高速光変調デバイスの実現が可能であると考えられる.
- 2004-08-20
著者
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院工学研究科
-
三宅 浩明
横浜国立大学 大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院
-
井手 智祥
横浜国立大学大学院工学研究院
-
Takizawa Kuniharu
Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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