InGaAsポテンシャル制御量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器(高速光変調器-マイクロ波フォトニクスのキーデバイス-)
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概要
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ポテンシャル制御量子井戸の一つである五層非対称結合量子井戸(FACQW)は,低い印加電界で大きな電界屈折率変化を得ることができる量子井戸構造であり,マッハ・ツェンダー干渉計型光変調器や光スイッチへの応用が期待される.本研究では,InGaAs/InAlAs FACQWをコア層に用いたY分岐マッハ・ツェンダー光変調器を作製し,波長1.55μmにおいて低電圧変調動作(V_π・L=1.2Vmm)を確認した.変調動作に寄与した屈折率変化はFACQWにおける特有の量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)であると考えられる.また,更なる動作電圧の低減を目指し,マイクロリング共振器をアーム部に有するマッハ・ツェンダー型(MR-MZ)光変調器を試作した.これは,リング共振器における位相変化増大効果を利用することにより,MZ変調器の動作電圧の低減,小型化を図るものである.InGaAs/InAlAs FACQWをコア層とするMR-MZ光変調器のDC変調特性を測定し,波長1.55μmにおいて,同一の導波路構造を有する通常のMZ光変調器と比較して約4分の1に動作電圧を低減できた.
- 2012-03-30
著者
-
國分 泰雄
横浜国立大学 大学院工学研究院
-
國分 泰雄
横浜国立大学大学院工学研究院知的構造の創生部門
-
國分 泰雄
横浜国大
-
國分 泰雄
横浜国立大学工学部
-
國分 泰雄
横浜国立大学
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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