半導体マイクロリング共振器を有する低電圧動作マッハ・ツェンダー光変調器の特性解析(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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マイクロリング共振器をアーム部に有するマッハ・ツェンダー干渉計型(MRKE-MZ)光変調器のDC動作特性の理論解析を行った.光導波路のコア層には,巨大な電界誘起屈折率変化が期待されるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)を用いることを想定し,リング周長500μmのデバイスを設計した.リング共振器における位相増強効果を利用することで,波長1.55μmにおいて,導波路のコア層に多重FACQWを用いたMRE-MZ光変調器の動作電圧が,リング周長と同じ長さの位相変調部を有する従来のMZ光変調器のそれよりも約1/6程度となり,大幅な動作電圧の低電圧を図ることができることがわかった.
- 2009-07-23
著者
-
槙野 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
國分 泰雄
横浜国立大学大学院工学研究院
-
上山 雄太
横浜国立大学大学院工学府
-
國分 泰雄
横浜国立大学 大学院工学研究院
-
國分 泰雄
横浜国立大学大学院工学研究院知的構造の創生部門
-
槙野 太郎
横浜国立大学大学院工学府
-
國分 泰雄
横浜国立大学大学院工学研究院知的構造の創成部門
-
國分 泰雄
横浜国立大学
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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