InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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低い印加電界で大きな屈折率変化を得ることができるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)をコア層に用いたY分岐マッハ・ツェンダー光変調器を分子線エピタキシー法及びウェットプロセスで作製し,1.55μm,TEモードにおいて低電圧変調動作(V_π・L=1.2Vmm)を確認した.変調動作に寄与した屈折率変化はFACQWにおける特殊な量子閉じ込めシュタルク効果であると考えられる.また,変調特性の更なる効率化を目指しFACQWポテンシャル構造の再設計を試みた.その結果,基礎吸収端波長をブルーシフトさせることで動作波長帯域における吸収損失を低減し,かつより低電圧での変調動作が期待できるFACQWポテンシャル構造を見出すことができた.
- 2009-08-13
著者
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
牛込 基
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院工学研究科
-
多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院
-
牛込 基
横浜国立大学
-
TAKIZAWA Kuuiharu
NHK Science and Technical Research Laboratories
-
Takizawa K
Department Of Electronics Nagoya University
-
Tada Kunio
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Takizawa Kuniharu
Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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