ケルビンプローブ法による導電性高分子/金属積層膜の加熱冷却に伴う表面電位の評価(有機エレクトロニクス)
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概要
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本研究では,導電性高分子であるポリ(3-オクタデシルチフェン)(PAT18)をAl及びITO基板上に種々の厚さで製膜し,ケルビンプローブ法を用いて加熱冷却時における表面電位を測定した.Al基板を用いた場合,膜厚約10μmでは加熱に伴い急激に表面電位が減少したが,ITO基板の場合では変化が見られなかった.また加熱前の膜厚約20nmでは-1.1V,約10μmでは-0.3Vと,PAT18/Alの室温における表面電位の値は膜厚によって大きく異なったが,加熱後には膜厚によらず-0,8Vで一定の値となった.PAT18自体の劣化による顕著な影響はないと考えられたため,高分子の溶融に伴うAlの露出やAl上に形成された酸化膜の影響が原因と考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-01
著者
-
本川 善幸
兵庫県立大学
-
多田 和也
兵庫県立大学
-
小野田 光宣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
小野田 光宣
姫路工業大学 工学部
-
多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
小野田 光宣
兵庫県立大
-
Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
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