ケルビンプローブ法を用いた高分子/金属ナノ界面電子状態の評価(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
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概要
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大気中においてITO及び金属の電極材料上に製膜する導電性高分子の膜厚を変えることによって接合界面の電子状態の変化を大気中光電子分光法及びケルビンプローブ法を用いて調べた.いずれの電極材料を用いた場合においても,大気中光電子分光法によって評価されたイオン化ポテンシャル(IP)の変化は界面から約10nmまでの領域で起きており,それ以降の膜が厚い領域では導電性高分子本来のIPに収束した.また,界面近傍でのIPの変化の度合は,電極材料の仕事関数に依存性を示した.一方,ケルビンプローブ法を利用して評価された基準電極と導電性高分子との間に生じる接触電位差と膜厚の関係は,電極材料によって顕著な違いが見られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-01
著者
-
本川 善幸
兵庫県立大学
-
小野田 光宣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
小野田 光宣
姫路工業大学 工学部
-
小野田 光宣
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
本川 善幸
姫路工業大学
-
多田 和也
姫路工業大学
-
堀 圭児
姫路工業大学
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