導電性高分子における非線形光電導の電界効果
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概要
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2光束パルス相関法を用いて, FET(Field Effect Transistor)構造における導電性高分子の時間分解非線形光電導を調べ, ゲート電圧印加による非線形光電導の増幅に成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-01
著者
-
吉野 勝美
Shimane Institute For Industrial Technology
-
尾崎 雅則
大阪大学大学院工学研究科
-
吉野 勝美
大阪大学大学院工学研究科
-
藤井 彰彦
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
藤井 彰彦
大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
-
田中 大志
大阪大学大学院工学研究科
-
西原 雄祐
大阪大学大学院工学研究科
-
フランケビッチ オイゲン
大阪大学大学院工学研究科
-
小野田 光宣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
吉野 勝美
大阪大学
-
Fujii Akihiko
Department Of Electrical Electronic And Informational Engineering Osaka University
-
フランケビッチ オイゲン
大阪大学大学院工学研究科:ロシア科学アカデミー
-
Yoshino Katsumi
Department Of Electronic Engineering Osaka University
-
Yoshino K
Osaka Univ. Suita Jpn
-
Yoshino K
Osaka Univ.
-
Yoshino K
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Yoshino K
The Department Of Electrical Engineering Osaka University
-
Yoshino Katsumi
The Department Of Electrical Engineering Osaka University
-
藤井 彰彦
大阪大学大学院工学研究科
-
尾崎 雅則
大阪大学大学院 工学研究科
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