ケルビン法により測定した導電性高分子 / 金属積層膜の表面電位における温度依存性(有機材料・一般)
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概要
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本研究では、ケルビン法を用いて導電性高分子/金属界面の電子状態を調べた。導電性高分子であるポリ(3-オクタデシルチフェン)をAl及びITO基板上に製膜し、ケルビン法を用いて表面電位の温度依存性を測定した。Al基板を用いた場合では膜厚によって温度依存性の結果が異なったが、ITO基板の場合では変化が見られなかった。またAl/PAT18では加熱前後で表面電位に大きな違いが見られた。 PAT18自体の電子状態には変化が見られなかったため、高分子の溶融に伴うAlの露出やAl上に形成された酸化膜の影響が起因していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-12
著者
-
本川 善幸
兵庫県立大学
-
小野田 光宣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
小野田 光宣
姫路工業大学 工学部
-
多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
小野田 光宣
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
本川 善幸
姫路工業大学
-
多田 和也
姫路工業大学
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