五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(Five-Layer Asymmeric Coupled Quantum Well)の作製トレランスに関して,量子井戸のヘテロ界面の急峻性劣化がFACQWの電界誘起屈折率変化特性に与える影響について理論的な検討を行った.ヘテロ界面の急峻性劣化について解析する手法として,ヘテロ界面における組成分布の形状を指数関数と仮定し,その組成勾配の遷移幅を増加させていったときの特性の変化について解析を行った.遷移幅が増大するとともにFACQWの屈折率変化特性が劣化していくことが見出されたが,遷移幅が2ML程度までであればFACQWの特性は十分な特性を保つことができることも見出された.さらに,FACQWの特性の劣化が顕著になる遷移幅3MLを仮定した場合において,FACQW構造を再設計することにより,その特性改善できることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-12
著者
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院工学研究科
-
羽路 伸夫
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
羽路 伸夫
横浜国立大学
-
Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
井芹 有志
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院
-
TAKIZAWA Kuuiharu
NHK Science and Technical Research Laboratories
-
Takizawa K
Department Of Electronics Nagoya University
-
Tada Kunio
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Takizawa Kuniharu
Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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