強誘電体ゲートFETを用いたCMFS論理回路の検討(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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強誘電体ゲートFETのゲート分極特性を利用してFETのしきい電圧を変化させることができる。この特性を論理回路に応用することを考え、CMFS(complementary metal-ferroelectric-semiconductor)論理を提案する。この論理を用いるとゲートに印加する電圧値を変化させるだけで2入力NAND演算をCMOSの半分の素子数で実現できる。更にCMFS論理を用いた全加算器の構成を示し、HSPICEを用いたシミュレーションを通してCMFS論理の有効性を評価、検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
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