羽路 伸夫 | 横浜国立大学

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概要

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関連著者

• 羽路 伸夫

  横浜国立大学

• 羽路 伸夫

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 荒川 太郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 荒川 太郎

  横浜国立大学 大学院工学研究院

• 羽路 伸夫

  横浜国大工

• 多田 邦雄

  金沢工業大学大学院工学研究科

• 多田 邦雄

  金沢工業大学大学院

• Takizawa Kuniharu

  Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)

• 多田 和也

  兵庫県立大学 大学院工学研究科

• 羽路 伸夫

  横浜国大

• Tada Koji

  Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.

• 韓 小逸

  横浜国大工

• 井芹 有志

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 伊藤 宏和

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 盧 柱亨

  横河電機株式会社

• 盧柱 亨

  横河電機株式会社

• 高田 浩司

  横浜国立大学大学院工学研究院

• チャンタマリー ポーンケオ

  横浜国立大学

• TAKIZAWA Kuuiharu

  NHK Science and Technical Research Laboratories

• 福光 賢児

  横浜国立大学工学部電子情報工学科

• Takizawa K

  Department Of Electronics Nagoya University

• Tada Kunio

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo

• 高田 浩司

  横浜国立大学 大学院工学研究院

• 霜垣 幸浩

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 佐藤 公彦

  横浜国立大学

• 菅原 昌敬

  横浜国大工学部

• 魯 鴻飛

  横浜国大工学部

• 羽路 伸夫

  横浜国大工学部

• 小田 康平

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 霜垣 幸浩

  東京大学

• 霜垣 幸浩

  東京大学大学院化学システム工学専攻

• 中野 義昭

  東京大学大学院工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn

• 魯 鴻飛

  横浜国大工

• 佐藤 陽亮

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 毛利 重信

  横浜国立大学

• 三浦 直人

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 西山 樹

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 衛藤 浩之

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 廣地 竜之

  横浜国立大学大学院 工学研究院

• 佐藤 公彦

  横浜国立大学大学院 工学研究院

• 木暮 日出夫

  横浜国大工

• 富岡 聡志

  横浜国立大学工学部電子情報工学科

• 菅原 昌敬

  横浜国大工

• 吉富 貞幸

  横浜国立大学工学部電子情報工学科

• トラン ゴックデュエト

  横浜国立大学工学部

• 韓 小逸

  横浜国立大学工学部

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著作論文

• 液相堆積法によるSiO_2膜について
• PECVDによる低誘電率層間絶縁膜用a-C:F膜の合成( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• La_Sr_xCuO_4の異常特性(III) : 静電容量の異常
• 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 液相堆積シリコン酸化膜/シリコン界面特性の改善
• GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• パルスレーザ蒸着(PLD)法による(Ba,Sr)TiO_3薄膜の作製における下部電極について(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• パルスレーザ蒸着法によるPt上への(Ba,Sr)TiO_3薄膜の多段階成膜(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• 強誘電体ゲートFETを用いたCMFS論理回路の検討(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• 液相堆積法による低誘電率シリコン酸化膜
• 低温度差半導体熱電変換システムに関する考察
• ゲート絶縁膜に液相堆積法によるSiO_2膜を用いたSiMOSダイオードの諸特性
• 液相堆積法(Liquid Phase Deposition)によるSi-MOSダイオードのウエハー前処理について
• 電界を用いた増速液相堆積法SiO_2膜の諸特性
• 半導体バルブの過渡熱インピ-ダンスに関する考察

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