ゲート絶縁膜に液相堆積法によるSiO_2膜を用いたSiMOSダイオードの諸特性
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概要
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液相堆積法(LPD法)とは,SiO_2を飽和させたけいふっ化水素酸水溶液を過飽和にさせた後,基板をこの水溶液中に浸してSiO_2薄膜を堆積させる方法である.液相堆積法の最大の利点は室温付近でSiO_2膜を堆積できることであり,また,装置が比較的簡単なため,大基板にも堆積させることが容易である.本論文では,この液相堆積膜のMOSゲート絶縁膜への応用を念頭において,諸特性を測定し検討した.その結果,液相堆積膜中には-OH基やFが多量に含まれているが,膜の構造自体は室温付近での堆積にもかかわらず比較的良好であること,Ar中で800〜1000℃でのアニーリングを行うことにより電気的にもドライ熱酸化膜とほぼ同等の特性が得られること,O_2中400℃のアニーリングを行えば界面準位密度や膜中のホールトラップ密度などの電気的特性は改善され,低温プロセスとしてSiMOSデバイスのゲート絶縁膜として応用できることがわかった.
- 1993-04-25
著者
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