Electroabsorptive Properties of InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-09-13
著者
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
羽路 伸夫
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
ARAKAWA Taro
Graduate School of Engineering, Yokohama National University
-
TAKIMOTO Kazuhiro
Graduate School of Engineering, Yokohama National University
-
MIYAZAKI Shiro
Graduate School of Engineering, Yokohama National University
-
YAMAGUCHI Koichiro
Graduate School of Engineering, Yokohama National University
-
HANEJI Nobuo
Graduate School of Engineering, Yokohama National University
-
NOH Joo-Hyong
Yokogawa Electric Corporation
-
TADA Kunio
Graduate School of Engineering, Kanazawa Institute of Technology
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院
-
Yamaguchi Koichiro
Graduate School Of Engineering Yokohama National University
-
TAKIZAWA Kuuiharu
NHK Science and Technical Research Laboratories
-
Miyazaki Shiro
Graduate School Of Engineering Yokohama National University
-
Takimoto Kazuhiro
Graduate School Of Engineering Yokohama National University
-
Takizawa K
Department Of Electronics Nagoya University
-
Tada Kunio
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Takizawa Kuniharu
Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)
-
Arakawa Taro
Graduate School of Engineering Yokohama National Univ
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