電界を用いた増速液相堆積法SiO_2膜の諸特性

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概要

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液相堆積法(LPD法)とは、SiO_2のH_2SiF_6に対する溶解平衡を変化させ基板にSiO_2を堆積させるSiO_2膜形成法である。LPD法は室温でSiO_2膜が得られるためデバイスの低温プロセスへの応用が期待されている。しかし、絶縁耐圧が低い、厚い膜を得るには堆積速度が遅い(数10[nm, h])等の問題がある。そこで我々は従来のLPD法に並行して、基板に正の電界を加えることで電気的力によりSiO_2膜の堆積促進、特性向上を試みた。その結果、通常のLPD法に比べ、堆積速度が2倍程度に増加した。その他にも、堆積膜を均一化する効果が、Aモード破壊する試料の減少等の結果で確認された。しかし、膜の電気的特性向上には至らず、この点に関しては電気的パラメータ等、条件の検討が必要である。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-07-26

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