パルスレーザ蒸着法によるPt上への(Ba,Sr)TiO_3薄膜の多段階成膜(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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高誘電体材料の応用として、DRAM用の高誘電体キャパシタに(Ba,Sr)TiO_3(BST)を用いる場合、BST薄膜のリーク電流低減を含めた結晶性向上が重要である。本研究はBSTをパルスレーザ蒸着(PLD)法で、Pt/Ti/SiO2/Si基板上に数段階(層)に分けて成膜し、成膜間にin-situアニーリングを行った。BST自身をバッファ層とし、酸素アニーリングを行うことにより結晶性を向上させ、酸素欠損を抑制しリーク電流の低減を狙いとした。3段階でBSTを計60nm成膜したものは、従来の方法で成膜したものよりもリーク電流・比誘電率ともに良好な値を得ることが出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
佐藤 公彦
横浜国立大学
-
羽路 伸夫
横浜国立大学大学院工学研究院
-
羽路 伸夫
横浜国立大学
-
廣地 竜之
横浜国立大学大学院 工学研究院
-
佐藤 公彦
横浜国立大学大学院 工学研究院
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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